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CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1626-1629
2016
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Defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy on Si substrates
Semiconductor science and technology, 2012-03, Vol.27 (3), p.035001
2012
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Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.274 (3-4), p.339-346
2005
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HgCdTe heterostructures on Si (310) substrates for midinfrared focal plane arrays
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-03, Vol.45 (3), p.385-391
2011
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Photoelectric characteristics of diodes in prototype photosensitive pixels for a monolithic array infrared photodetector
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-04, Vol.46 (4), p.535-540
2012
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Defects in the crystal structure of Cd{sub x}Hg{sub 1-x}Te layers grown on the Si (310) substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-07, Vol.45 (7)
2011
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Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1), p.238-243
1992
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Open Access
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320×256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter
Opto-electronics review, 2010, Vol.18 (3), p.236-240
2010
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Linear HgCdTe IR FPA 288×4 with bidirectional scanning
Opto-electronics review, 2010, Vol.18 (3), p.332-337
2010
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Melt Growth of CdTe Crystals and Transmission Electron Microscopic Investigations of their Grain Boundaries
Crystal research and technology (1979), 1991, Vol.26 (8), p.967-972
1991
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Factors determining the morphology of CdxHg1−xTe films in the course of molecular beam epitaxy
Surface investigation, x-ray, synchrotron and neutron techniques, 2008, Vol.2 (1), p.120-126
2008
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Defect Formation during MBE Growth of CdTe (111)
Physica status solidi. A, Applied research, 1991-07, Vol.126 (1), p.181-188
1991
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HgCdTe monolithic infrared detector
Physica status solidi. C, 2010-06, Vol.7 (6), p.1681-1683
2010
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