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Red-Emissive Carbon Quantum Dots for Nuclear Drug Delivery in Cancer Stem Cells
The journal of physical chemistry letters, 2020-02, Vol.11 (4), p.1357-1363
2020
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Carrier capture and emission properties of silicon interstitial defects in near SiC/SiO2 interface region
Applied surface science, 2020-06, Vol.514, p.145889, Article 145889
2020
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Carbon Dots for Electroluminescent Light‐Emitting Diodes: Recent Progress and Future Prospects
Advanced materials (Weinheim), 2023-11, Vol.35 (44), p.e2210699-n/a
2023
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A Multifunctional “Halide‐Equivalent” Anion Enabling Efficient CsPb(Br/I)3 Nanocrystals Pure‐Red Light‐Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 23
Advanced materials (Weinheim), 2023-02, Vol.35 (8), p.e2209002-n/a
2023
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Low-temperature re-oxidation of near-interface defects and voltage stability in SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2020-11, Vol.531, p.147312, Article 147312
2020
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Synergistic passivation effects of nitrogen plasma and oxygen plasma on improving the interface quality and bias temperature instability of 4H-SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2020-05, Vol.513, p.145837, Article 145837
2020
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Interface properties and bias temperature instability with ternary H–Cl–N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H–SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2019-09, Vol.488, p.293-302
2019
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Achieving Bright and Long‐Lived Aqueous Room‐Temperature Phosphorescence of Carbon Nitrogen Dots Through In Situ Host–Guest Binding
Advanced materials (Weinheim), 2024-06, Vol.36 (24), p.e2401493-n/a
2024
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