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Characteristics of SiO2 etching by using pulse-time modulation in 60 MHz/2 MHz dual-frequency capacitive coupled plasma
Current Applied Physics, 2013, 13(8), , pp.1830-1836
2013
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High rate sapphire (Al 2O 3) etching in inductively coupled plasmas using axial external magnetic field
Thin solid films, 2003-07, Vol.435 (1), p.242-246
2003
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Characteristics of TiN barrier layer against Cu diffusion
Thin solid films, 1999-02, Vol.339 (1-2), p.290-293
1999
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Surface-modified magnetite nanoparticles for hyperthermia: Preparation, characterization, and cytotoxicity studies
Current Applied Physics, 2006, 6(1l), , pp.242-246
2006
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Internal linear inductively coupled plasma (ICP) sources for large area FPD etch process applications
Materials science in semiconductor processing, 2002-08, Vol.5 (4), p.419-423
2002
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Low impedance antenna arrangement of internal linear ICP source for large area FPD processing
Thin solid films, 2006-05, Vol.506 (Complete), p.460-463
2006
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Plasma and impedance characteristics of internal linear antennas for flat panel display applications
Thin solid films, 2005-11, Vol.491 (1), p.82-85
2005
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Effects of multipolar magnetic fields on the characteristics of plasma and photoresist etching in an internal linear inductively coupled plasma system
Surface & coatings technology, 2004-01, Vol.177, p.752-757
2004
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Linear internal inductively coupled plasma (ICP) source with magnetic fields for large area processing
Thin solid films, 2003-07, Vol.435 (1), p.275-279
2003
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Phase Transformations and Structural Developments in the Radular Teeth of Cryptochiton Stelleri
Advanced functional materials, 2013-06, Vol.23 (23), p.2908-2917
2013
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Oxidation of rubrene, and implications for device stability
Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2018, Vol.6 (14), p.3757-3761
2018
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Electrical properties and crystal structures of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 thin film for phase change memory
Thin solid films, 2004-12, Vol.469-470 (Complete), p.322-326
2004
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A study on photoluminescence of interface layer of ZnTe/CdTe heterostructure
Journal of crystal growth, 2000-06, Vol.214, p.225-228
2000
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Reduction of surface recombination in n-type HgZnTe ( x=0.16) crystal
Journal of crystal growth, 2000-06, Vol.214, p.255-259
2000
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Study on minority carrier lifetime of n-HgZnTe by photoconductive decay method
Journal of crystal growth, 1998-02, Vol.184-185 (1-2), p.1247-1252
1998
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Constant capacitance technique to study electrical instabilities in InP MIS provided by PECVD silicon nitride
Applied surface science, 1993-01, Vol.65 (1-4), p.858-862
1993
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