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In-situ etch-depth control better than 5 nm with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment during reactive ion etching (RIE): A technical RAS application
AIP advances, 2019-07, Vol.9 (7), p.075116-075116-6
2019
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Theory, simulation, fabrication, and characterization of Galois scattering plates for the optical and the THz spectral range
AIP advances, 2021-06, Vol.11 (6), p.065130-065130-10
2021
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Reactive Ion Etching (RIE) Induced Surface Roughness Precisely Monitored In-Situ and in Real Time by Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS) in Combination with Principle Component Analysis (PCA)
Advances in materials science and engineering, 2022, Vol.2022, p.1-7
2022
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Epitaxial Growth of Optoelectronically Active Ga(As)Sb Quantum Dots on Al-Rich AlGaAs with GaAs Capsule Layers
Advances in materials science and engineering, 2021, Vol.2021 (1)
2021
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Precise in situ etch depth control of multilayered III-V semiconductor samples with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment
Beilstein journal of nanotechnology, 2016, Vol.7 (1), p.1783-1793
2016
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Dense lying self-organized GaAsSb quantum dots on GaAs for efficient lasers
Beilstein journal of nanotechnology, 2011-06, Vol.2 (1), p.333-338
2011
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High shape-accuracy of surface roughnesses upon nano-moulding with optical elastomers
Optical materials, 2021-08, Vol.118, p.111230, Article 111230
2021
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GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 μm
Journal of crystal growth, 2014-10, Vol.404, p.48-53
2014
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Generation of Dense Lying Ga(As)Sb Quantum Dots for Efficient Quantum Dot Lasers
Advanced materials research, 2013, Vol.684, p.285-289
2013
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