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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs
IEEE transactions on electron devices, 2017-08, Vol.64 (8), p.3139-3144
2017
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Steep Subthreshold Swing in GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2019-10, Vol.66 (10), p.1-3
2019
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Heterointegrated Ga2O3-on-SiC RF MOSFETs With f T/f max of 47/51 GHz by Ion-Cutting Process
IEEE electron device letters, 2023-12, Vol.44 (12), p.1951-1954
2023
Open Access
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Improvement of Power Performance of GaN HEMT by Using Quaternary InAlGaN Barrier
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2018-01, Vol.6, p.360-364
2018
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High-voltage β-Ga2O3 RF MOSFETs with a Shallowly-implanted 2DEG-like Channel
IEEE electron device letters, 2023-07, Vol.44 (7), p.1-1
2023
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High power performance AlGaN/GaN HEMT with 0.1 μm Y-shaped gate encapsulated with low-κ BCB
2016 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2016, p.128-131
2016
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