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IEEE electron device letters, 2018-08, Vol.39 (8), p.1133-1136
2018
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2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020, p.146-149
2020
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2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2022, p.21-23
2022
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Investigation on selectively etched SiGe and Si surface for Gate-All-Around CMOS devices fabrication
2022
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2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), 2020, p.128-129
2020
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2019 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2019, p.1-2
2019
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IEEE transactions on electron devices, 2022-04, Vol.69 (4), p.2101-2107
- Chang, Shu-Wei
- Lu, Tsung-Han
- Yang, Cong-Yi
- Yeh, Cheng-Jui
- Huang, Min-Kun
- Meng, Ching-Fan
- Chen, Po-Jen
- Chang, Ting-Hsuan
- Chang, Yan-Shiuan
- Jhu, Jhe-Wei
- Hong, Tzu-Chieh
- Ke, Chu-Chu
- Yu, Xin-Ren
- Lu, Wen-Hsiang
- Baig, Mohammed Aftab
- Cho, Ta-Chun
- Sung, Po-Jung
- Su, Chun-Jung
- Hsueh, Fu-Kuo
- Chen, Bo-Yuan
- Hu, Hsin-Hui
- Wu, Chien-Ting
- Lin, Kun-Lin
- Ma, William Cheng-Yu
- Lu, Darsen D.
- Kao, Kuo-Hsing
- Lee, Yao-Jen
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- Huang, Kun-Ping
- Chen, Kun-Ming
- Li, Yiming
- Samukawa, Seiji
- Chao, Tien-Sheng
- Huang, Guo-Wei
- Wu, Wen-Fa
- Lee, Wen-Hsi
- Li, Jiun-Yun
- Shieh, Jia-Min
- Tarng, Jenn-Hwan
- Wang, Yeong-Her
- Yeh, Wen-Kuan
2022
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2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2016, p.130-131
2016
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