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102-GHz AlInN/GaN HEMTs on Silicon With 2.5-W/mm Output Power at 10 GHz
IEEE electron device letters, 2009-08, Vol.30 (8), p.796-798
2009
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Submicrometer Copper T-Gate AlGaN/GaN HFETs: The Gate Metal Stack Effect
IEEE electron device letters, 2007-05, Vol.28 (5), p.350-353
2007
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107-GHz (Al,Ga)N/GaN HEMTs on Silicon With Improved Maximum Oscillation Frequencies
IEEE electron device letters, 2010-04, Vol.31 (4), p.296-298
2010
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High-Performance 0.1- \mu\hbox Gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon With Low-Noise Figure at 20 GHz
IEEE electron device letters, 2009-02, Vol.30 (2), p.107-109
2009
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100-nm-Gate (Al,In)N/GaN HEMTs Grown on SiC With = \hbox\ \hbox
IEEE electron device letters, 2010-04, Vol.31 (4), p.293-295
2010
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Wideband distributed amplifiers in a hybrid microstrip-environment using 0.1 µm (Al,Ga)N/GaN HEMTs grown on Silicon
2009 European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2009, p.93-96
2009
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