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Impact of Bottom Electrode Crystallinity on Ferroelectricity of La-Doped HfO2
IEEE electron device letters, 2023-11, Vol.44 (11), p.1833-1836
2023
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Forming-Free HfOx-Based Resistive Memory With Improved Uniformity Achieved by the Thermal Annealing-Induced Self-Doping of Ge
IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1671-1675
2023
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Optimizing interface properties of HfO2/Si0.73Ge0.27 gate stacks through sulfur passivation and post-deposition annealing
Journal of applied physics, 2024-03, Vol.135 (12)
2024
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Wake-Up Free La-Doped HfO2-ZrO2 Ferroelectrics Achieved With an Atomic Layer-Specific Doping Technique
IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1665-1668
2022
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Wake-Up and Imprint Effects in Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Capacitors during Cycling with Different Interval Times
Electronics (Basel), 2024-03, Vol.13 (6), p.1021
2024
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Fermi-Level Pinning Engineering for Achieving High-Performance Ge-Based Resistive Memory With Ultrahigh Self-Rectifying Ratio (> 105)
IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.6751-6756
2022
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