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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array
Journal of materials science & technology, 2012-02, Vol.28 (2), p.132-136
2012
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High Current Operation of a Semi-insulating Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch Triggering a Spark Gap
Chinese physics letters, 2010-02, Vol.27 (2), p.120-122, Article 024212
2010
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Light controlled prebreakdown characteristics of a semi-insulating GaAs photoconductive switch
Journal of semiconductors, 2011-12, Vol.32 (12), p.80-85
2011
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