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A 3-nm FinFET 27.6-Mbit/mm2 Single-Port 6T SRAM Enabling 0.48-1.2 V Wide Operating Range With Far-End Pre-Charge and Weak-Bit Tracking
IEEE journal of solid-state circuits, 2024-04, Vol.59 (4), p.1225-1234
2024
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A 3-nm 27.6-Mbit/mm2 Self-timed SRAM Enabling 0.48 - 1.2 V Wide Operating Range with Far-end Pre-charge and Weak-Bit Tracking
2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2023, p.1-2
2023
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3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM with 0.5V-1.4V Wide Voltage Range Operation in 3nm FinFET for HPC Applications
2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2023, p.1-2
2023
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A 4.24GHz 128X256 SRAM Operating Double Pump Read Write Same Cycle in 5nm Technology
2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2023, p.1-2
2023
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Open Access
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A 16-kb Antifuse One-Time-Programmable Memory in 5-nm High-K Metal-Gate FinFET CMOS Featuring Bootstrap High-Voltage Scheme, Read Endpoint Detection, and Pseudodifferential Sensing
IEEE solid-state circuits letters, 2021, Vol.4, p.170-173
2021
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3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM With Leakage Saving Circuits in 3-nm FinFET for HPC Applications
IEEE journal of solid-state circuits, 2024-08, p.1-9
2024
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A 5-nm 135-Mb SRAM in EUV and High-Mobility Channel FinFET Technology With Metal Coupling and Charge-Sharing Write-Assist Circuitry Schemes for High-Density and Low-VMIN Applications
IEEE journal of solid-state circuits, 2021-01, Vol.56 (1), p.179-187
2021
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A 3.3GHz 1024X640 Multi-Bank Single-Port SRAM with Frequency Enhancing Techniques and 0.55V-1.35V Wide Voltage Range Operation in 3nm FinFET for HPC Applications
2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2024, p.1-2
2024
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A 4.24GHz 128X256 SRAM Operating Double Pump Read Write Same Cycle in 5nm Technology
IEEE solid-state circuits letters, 2023-11, p.1-1
2023
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