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High-power-density GaAs MISFETs with a low-temperature-grown epitaxial layer as the insulator

IEEE electron device letters, 1991-06, Vol.12 (6), p.306-308

Chen, C.-L.
Smith, F.W.
Clifton, B.J.
Mahoney, L.J.
Manfra, M.J.
Calawa, A.R.

1991

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A 1.57 W/mm GaAs-based MISFET for high-power and microwave-switching applications

1991 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1991, p.643-646 vol.2

Smith, F.W.
Chen, C.L.
Mahoney, L.J.
Manfra, M.J.
Temme, D.H.
Clifton, B.J.
Calawa, A.R.

1991

Volltextzugriff (PDF)

A 2.4 GHz single chip transceiver

IEEE 1993 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium Digest of Papers, 1993, p.23-26

Devlin, L.M.
Buck, B.J.
Clifton, J.C.
Dearn, A.W.
Long, A.P.O.

1993

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