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2022
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IEEE transactions on electron devices, 2022-10, Vol.69 (10), p.5484-5489
2022
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IEEE transactions on electron devices, 2023-11, Vol.70 (11), p.5803-5806
2023
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Advances in electrical and electronic engineering, 2022-03, Vol.20 (1), p.86-94
2022
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Characterization of Monolithic InAlN/GaN NAND Logic Cell Supported by Circuit and Device Simulations
2018
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IEEE transactions on electron devices, 2017-01, Vol.64 (1), p.333-336
2017
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Advances in electrical and electronic engineering, 2021-12, Vol.19 (4), p.361-368
2021
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The European physical journal. C, Particles and fields, 2013-03, Vol.73 (3), p.1-32, Article 2329
2013
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IEEE transactions on electron devices, 2021-01, Vol.68 (1), p.216-221
2021
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IEEE transactions on electron devices, 2021-05, Vol.68 (5), p.2365-2371
2021
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IEEE transactions on electron devices, 2015-03, Vol.62 (3), p.828-834
2015
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Semiconductor science and technology, 2021-02, Vol.36 (2), p.25019
2021
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Semiconductor science and technology, 2019-06, Vol.34 (6), p.65021
2019
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Microelectronics and reliability, 2012-06, Vol.52 (6), p.1031-1038
2012
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Semiconductor science and technology, 2020-02, Vol.35 (2), p.25006
2020
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The European physical journal. C, Particles and fields, 2007-03, Vol.49 (4), p.919-945
2007
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Microelectronics and reliability, 2017-11, Vol.78, p.148-155
2017
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IEEE transactions on electron devices, 2014-04, Vol.61 (4), p.1116-1122
2014
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Microelectronics and reliability, 2012-03, Vol.52 (3), p.463-468
2012
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Journal of Electrical Engineering, 2020-02, Vol.71 (1), p.31-36
2020
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Materials science in semiconductor processing, 2020-11, Vol.118, p.105203, Article 105203
2020
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Measurement science & technology, 2008-01, Vol.19 (1), p.015407-015407 (6)
2008
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2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2017, p.249-252
2017
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Microelectronics and reliability, 2012-07, Vol.52 (7), p.1323-1327
2012
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Electronics (Basel), 2021-11, Vol.10 (22), p.2738
2021
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