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256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers
IEEE journal of solid-state circuits, 2017-01, Vol.52 (1), p.210-217
2017
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A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate
IEEE journal of solid-state circuits, 2016-01, Vol.51 (1), p.204-212
2016
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Three-Dimensional 128 Gb MLC Vertical nand Flash Memory With 24-WL Stacked Layers and 50 MB/s High-Speed Programming
IEEE journal of solid-state circuits, 2015-01, Vol.50 (1), p.204-213
2015
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A 1Tb 4b/cell 64-stacked-WL 3D NAND flash memory with 12MB/s program throughput
2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), 2018, p.340-342
2018
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A 90-nm CMOS 1.8-V 2-Gb NAND flash memory for mass storage applications
IEEE journal of solid-state circuits, 2003-11, Vol.38 (11), p.1934-1942
2003
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High-performance 1-Gb-NAND flash memory with 0.12-μm technology
IEEE journal of solid-state circuits, 2002-11, Vol.37 (11), p.1502-1509
2002
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A new gradual hole injection dual-gate LIGBT
IEEE electron device letters, 1998-12, Vol.19 (12), p.490-492
1998
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CB-BRT: a new base resistance-controlled thyristor employing a self-aligned corrugated p-base
IEEE electron device letters, 1998-12, Vol.19 (12), p.493-495
1998
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A 512-Gb 3-b/Cell 64-Stacked WL 3-D-NAND Flash Memory
IEEE journal of solid-state circuits, 2018-01, Vol.53 (1), p.124-133
2018
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A 1.8-Gb/s/Pin 16-Tb NAND Flash Memory Multi-Chip Package With F-Chip for High-Performance and High-Capacity Storage
IEEE journal of solid-state circuits, 2021-04, Vol.56 (4), p.1129-1140
2021
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A Comparison between 63nm 8Gb and 90nm 4Gb Multi-Level Cell NAND Flash Memory for Mass Storage Application
2005 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, 2005, p.13-16
2005
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Cell Operation Technologies to Overcome Scale-down Issues in 3D NAND Flash Memory
2022 International Conference on Electronics, Information, and Communication (ICEIC), 2022, p.298-299
2022
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A 1.8 Gb/s/pin 16Tb NAND Flash Memory Multi-Chip Package with F-Chip of Toggle 4.0 Specification for High Performance and High Capacity Storage Systems
2020 IEEE Symposium on VLSI Circuits, 2020, p.1-2
2020
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A 3.3V 4Gb four-level NAND flash memory with 90nm CMOS technology
First edition, 2004
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Optimum design of the field plate in the cylindrical p +n junction: analytical approach
Solid-state electronics, 1998-09, Vol.42 (9), p.1651-1655
1998
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The breakdown voltage of negative curvatured p+n diodes using a SOI layer
Solid-state electronics, 1997-05, Vol.41 (5), p.787-788
1997
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A lateral SOI BMFET with high current gain
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's: ISPSD '95, 1995, p.288-292
1995
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