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High-Frequency Performance of Schottky Source/Drain Silicon pMOS Devices
IEEE electron device letters, 2008-04, Vol.29 (4), p.396-398
2008
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Static and High-Frequency Behavior and Performance of Schottky-Barrier p-MOSFET Devices
IEEE transactions on electron devices, 2007-10, Vol.54 (10), p.2796-2802
2007
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Evidence of reduced self-heating in strained Si MOSFETs
IEEE electron device letters, 2005-09, Vol.26 (9), p.684-686
2005
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Impact of strain and channel orientation on the low-frequency noise performance of Si n- and pMOSFETs
Solid-state electronics, 2007-05, Vol.51 (5), p.771-777
2007
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Flat single crystal Ge membranes for sensors and opto-electronic integrated circuitry
Solid-state electronics, 2014-08, Vol.98, p.93-98
2014
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Comparison of electron–phonon and hole–phonon energy loss rates in silicon
Solid-state electronics, 2015-01, Vol.103, p.40-43
2015
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Open Access
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Improved effective mobility extraction in MOSFETs
Solid-state electronics, 2009-12, Vol.53 (12), p.1252-1256
2009
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Impact ionisation in strained SiGe pMOSFETs
Electronics letters, 2005-08, Vol.41 (16), p.925-927
2005
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SiGe heterostructure CMOS circuits and applications
Solid-state electronics, 1999-08, Vol.43 (8), p.1497-1506
1999
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Study of velocity field characteristics in pseudomorphic Si0.8Ge0.2 p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Microelectronic engineering, 2000-05, Vol.51-52, p.541-546
2000
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Two dimensional phonon-drag thermopower in Si0.87Ge0.13/Si (001) heterostructure grown by MBE
Microelectronic engineering, 2000-05, Vol.51-52, p.527-534
2000
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Electron beam induced damage of silicon germanium
Microelectronic engineering, 1997-02, Vol.35 (1-4), p.59-62
1997
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Residual strain in Si-Si1−xGex quantum dots
Solid-state electronics, 1996-01, Vol.40 (1-8), p.383-386
1996
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Accurate effective mobility extraction in SOI MOS transistors
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, p.31-34
2009
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Silicon boron delta doped fet : growth and fabrication
Electronics letters, 1992, Vol.28 (7), p.667-669
1992
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A systematic investigation of N-channel delta-doped MOSFETs grown by M.B.E
ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference, 1992, Vol.19 (1), p.743-746
1992
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The role of interface states in the low temperature mobility of hafnium-oxide gated Ge-pMOSFETs and the effect of a hydrogen anneal
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, p.19-22
2008
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Anomalous Ge diffusion effects during Ge-condensation
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, p.207-210
2008
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