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Radiation Effects in MOS Oxides
IEEE transactions on nuclear science, 2008-08, Vol.55 (4), p.1833-1853
2008
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Enhanced Degradation in Power MOSFET Devices Due to Heavy Ion Irradiation
IEEE transactions on nuclear science, 2007-12, Vol.54 (6), p.2181-2189
2007
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Total Ionizing Dose and Single Event Effects Hardness Assurance Qualification Issues for Microelectronics
IEEE transactions on nuclear science, 2008-08, Vol.55 (4), p.1926-1946
2008
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Enhanced Proton and Neutron Induced Degradation and Its Impact on Hardness Assurance Testing
IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3096-3105
2008
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Radiation-induced off-state leakage current in commercial power MOSFETs
IEEE transactions on nuclear science, 2005-12, Vol.52 (6), p.2378-2386
2005
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Issues for single-event proton testing of SRAMs
IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3692-3700
2004
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Open Access
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Hardness Assurance Test Guideline for Qualifying Devices for Use in Proton Environments
IEEE transactions on nuclear science, 2009-08, Vol.56 (4), p.2171-2178
2009
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Heavy Ion Energy Effects in CMOS SRAMs
IEEE transactions on nuclear science, 2007-08, Vol.54 (4), p.889-893
2007
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Annealing behavior of linear bipolar devices with enhanced low-dose-rate sensitivity
IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3172-3177
2004
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Impact of passivation layers on enhanced low-dose-rate sensitivity and pre-irradiation elevated-temperature stress effects in bipolar linear ICs
IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.3171-3179
2002
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New experimental findings for single-event gate rupture in MOS capacitors and linear devices
IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3263-3269
2004
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Effects of Moisture and Hydrogen Exposure on Radiation-Induced MOS Device Degradation and Its Implications for Long-Term Aging
IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3206-3215
2008
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Implications of Characterization Temperature on Hardness Assurance Qualification
IEEE transactions on nuclear science, 2006-12, Vol.53 (6), p.3132-3138
2006
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