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Tuning of the Nickel Silicide Schottky Barrier Height on p-Type Silicon by Indium Implantation
IEEE electron device letters, 2009-12, Vol.30 (12), p.1272-1274
2009
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Schottky Barrier Height of Nickel Silicide Contacts Formed on \hbox\hbox Epitaxial Layers
IEEE electron device letters, 2009-12, Vol.30 (12), p.1320-1322
2009
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Low resistivity nickel germanosilicide contacts to ultra-shallow Si/sub 1-x/Ge/sub x/ source/drain junctions for nanoscale CMOS
IEEE International Electron Devices Meeting 2003, 2003, p.20.5.1-20.5.4
2003
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Advanced Si/sub 1-x/Gex source/drain and contact technologies for sub-70 nm CMOS
Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, p.375-378
2002
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Ultra-shallow source/drain junctions for nanoscale CMOS using selective silicon-germanium technology
Extended Abstracts of the Second International Workshop on Junction Technology. IWJT. (IEEE Cat.No.01EX541C), 2001, p.77-82
2001
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