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Growth of GaN and GaN/AlN multiple quantum wells on sapphire, Si and GaN template by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 2007-03, Vol.300 (1), p.79-82
2007
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Interface study of AlN grown on Si substrates by radio-frequency magnetron reactive sputtering
Thin solid films, 2005-01, Vol.471 (1), p.336-341
2005
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Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN
Journal of crystal growth, 2007-03, Vol.300 (1), p.114-117
2007
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Substrate pre-treatment and initial growth: Strategies towards high-quality III-nitride growth on sapphire by molecular beam epitaxy
Thin solid films, 2006-10, Vol.515 (2), p.603-606
2006
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Surface roughness of GaN and thin AlGaN layers grown by molecular beam epitaxy
Applied surface science, 2004-03, Vol.226 (4), p.331-334
2004
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Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN
Journal of crystal growth, 2005-05, Vol.278 (1), p.406-410
2005
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Nanocrystals at MBE-grown GaN/GaAs(001) interfaces
Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.317-321
2000
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Influence of N/Ga-flux ratio on optical properties and surface morphology of GaN grown on sapphire(0001) by MBE
Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.423-427
2000
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Characterisation of surface morphological defects in MBE-grown GaN0.1As0.9 layers on GaAs
Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1-4), p.259-262
2000
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Growth and characterization of GaAs/Si/GaAs heterostructures
Journal of crystal growth, 1995, Vol.150 (1-4), p.696-699
1995
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Growth and characterization of digital and compositionally graded AlGaAs/GaAs non-rectangular quantum wells
Journal of crystal growth, 1994, Vol.135 (3), p.455-462
1994
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On the carrier lifetime in periodically delta -doped GaAs
Semiconductor science and technology, 1994-12, Vol.9 (12), p.2190-2194
1994
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Determination of In composition in molecular beam epitaxy grown InxGa1-xAs/GaAs heterostructures
Journal of crystal growth, 1993-02, Vol.127 (1-4), p.616-618
1993
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Sputter profiling of AlGaAs/GaAs superlattice structures using oxygen and argon ions
Applied surface science, 1993-01, Vol.70 (1-4), p.40-43
1993
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Contradictory increase of critical layer thickness in InxGa1-xSb/GaAs heterostructures grown by MBE
Ultramicroscopy, 1993-06, Vol.51 (1-4), p.215-220
1993
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Grain size and growth of Ni-Rich Ni-Al alloy films
Acta metallurgica, 1983-01, Vol.31 (12), p.2103-2111
1983
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ThemaCondensed Matter: Structure, Mechanical And Thermal Properties
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