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Local Crystallization of Yielding Compact, Strong Thermionic Electron Emission Source
IEEE electron device letters, 2013-10, Vol.34 (10), p.1322-1324
2013
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Fabrication of a high-performance poly-Si thin-film transistor using a poly-Si film prepared by silicide-enhanced rapid thermal annealing process
Electronic Materials Letters, 2014, 10(6), , pp.1081-1085
2014
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11.4 A 512Gb 3b/cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory
2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2017, p.202-203
2017
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Characterization of Ag {sub x}(Ge{sub 2}Sb{sub 2}Te{sub 5}){sub 1-x}thin film by RF magnetron sputtering
Materials characterization, 2007-05, Vol.58 (5)
2007
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Annealing Effect on the Thermoelectric Properties of Undoped CoSb3
Solid state phenomena, 2006-01, Vol.118, p.565-570
2006
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Effect of Excess Zn on Thermoelectric Properties of Zn4Sb3
2006 25th International Conference on Thermoelectrics, 2006, p.528-530
2006
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Thermoelectric properties of vacuum melted Zn4−xCoxSb3 compounds
2007 26th International Conference on Thermoelectrics, 2007, p.211-214
2007
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Improvement of thermal stability of Ni-germanide with co-sputtering of nickel and palladium for high performance Ge CMOSFET
2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011, p.1-2
2011
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A highly manufacturable, low-thermal budget, void and seam free pre-metal-dielectric process using new SOG for beyond 60nm DRAM and other devices
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.12.3.1-12.3.4
2001
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