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Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO2 films under conditions of ion synthesis at high pressure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-10, Vol.51 (10), p.1364-1369
2017
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Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (13), p.1696-1703
2018
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Open Access
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The regularities of phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing
Journal of physics. Conference series, 2017, Vol.857 (1)
2017
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Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1240-1246
2017
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Comparison of structures of gold nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation and magnetron sputtering
Journal of structural chemistry, 2017-12, Vol.58 (8), p.1581-1587
2017
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Infrared photoluminescence from GeSi nanocrystals embedded in a germanium–silicate matrix
Journal of experimental and theoretical physics, 2015-12, Vol.121 (6), p.1076-1081
2015
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Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-05, Vol.47 (5), p.606-611
2013
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Growth and electrical properties of the (Si/Ge)-on-insulator structures formed by ion implantation and subsequent hydrogen-assisted transfer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-01, Vol.43 (1), p.52-56
2009
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