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Effects of driving capability on single-event transient of inverter in bulk FinFET Technology
Journal of physics. Conference series, 2024-08, Vol.2820 (1), p.012113
2024
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Single Event Effect Characterization of High Speed Serial JESD204B Data Receiver
Journal of physics. Conference series, 2019-11, Vol.1345 (2), p.22016
2019
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Total ionizing dose effects on data retention characteristics of 55nm SONOS flash
Journal of physics. Conference series, 2021-07, Vol.1983 (1), p.12061
2021
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A Fast-Lock Low-Jitter PLL Based Adaptive Bandwidth Technique
Journal of physics. Conference series, 2018-09, Vol.1087 (5), p.52029
2018
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Impact of Program/Erase Cycles, Total Ionizing Dose and Data Bake on Data Retention of 55nm SONOS Flash
Journal of physics. Conference series, 2021-05, Vol.1920 (1), p.12101
2021
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Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
IEEE transactions on nuclear science, 2019-06, Vol.66 (6), p.892-898
2019
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SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD
IEEE transactions on nuclear science, 2015-12, Vol.62 (6), p.2666-2672
2015
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A Study on High Density Gate-Oxide Anti-Fuse PROM Memory Cell Program Features
MATEC Web of Conferences, 2016, Vol.75, p.10004
2016
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A four-interleaving HBD SRAM cell based on dual DICE for multiple node collection mitigation
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.97-100
2015
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Single event transient pulse width measurement of 65-nm bulk CMOS circuits
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.93-96
2015
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Modeling and simulation of single-event effect in CMOS circuit
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.15-24
2015
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Single event soft error in advanced integrated circuit
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.1-14
2015
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Evaluation of SEE on a 32-bit Microprocessor by Laser Test and Heavy Ion Test
Advanced Materials Research, 2015-05, Vol.1105, p.391-396
2015
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Analysis and RHBD technique of single event transients in PLLs
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.73-74
2015
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Predictions for proton and heavy ions induced SEUs in 65 nm SRAMs
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.69-72
2015
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The investigation on sensitive mapping of memory cell in microprocessor
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.44-47
2015
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The single-event effect evaluation technology for nano integrated circuits
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.75-79
2015
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Experimental research on transient radiation effects in microprocessors based on SPARC-V8 architecture
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.58-62
2015
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A prediction technique for single-event effects on complex integrated circuits
Journal of semiconductors, 2015-11, Vol.36 (11), p.80-84
2015
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Frequency Effect on SEU of D Flip-Flop
Applied Mechanics and Materials, 2012-01, Vol.110-116, p.3132-3137
2012
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Low Power Dissipation SEU-Hardened CMOS Latch
PIERS online, 2007, Vol.3 (7), p.1080-1084
2007
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Efficacy and safety of removing peritoneal dialysis catheters using the pull technique
International urology and nephrology, 2024-03, Vol.56 (3), p.1129-1135
2024
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