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A Regional Climate Change Assessment Program for North America
Eos (Washington, D.C.), 2009-09, Vol.90 (36), p.311-311
2009
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Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2016-03, Vol.16 (1), p.38-42
2016
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Granulomatous peritonitis in an African man
New York State journal of medicine, 1991-04, Vol.91 (4), p.164
1991
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Nitrided \hbox\hbox as Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.306-310
2012
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Nitrided [Formula Omitted] as Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.306
2012
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Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2016-03, Vol.16 (1), p.38-42
2016
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Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO sub(2) by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2016-03, Vol.16 (1), p.38-42
2016
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Nb-Doped \hbox\hbox as Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2015-03, Vol.15 (1), p.123-126
2015
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Nitrided hbox La 2 hbox O 3 as Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.306-310
2012
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High-Temperature Hardware: Development of a 10-kW High-Temperature, High-Power-Density Three-Phase ac-dc-ac SiC Converter
IEEE industrial electronics magazine, 2013-03, Vol.7 (1), p.6-17
2013
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Efectos de la acupuntura con manipulación de aguja a diferentes frecuencias para pacientes hipertensos: resultados de una observación clínica de 24 semanas
Revista internacional de acupuntura, 2019-07, Vol.13 (3), p.67-75
2019
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