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256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers
IEEE journal of solid-state circuits, 2017-01, Vol.52 (1), p.210-217
2017
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A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate
IEEE journal of solid-state circuits, 2016-01, Vol.51 (1), p.204-212
2016
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Three-Dimensional 128 Gb MLC Vertical nand Flash Memory With 24-WL Stacked Layers and 50 MB/s High-Speed Programming
IEEE journal of solid-state circuits, 2015-01, Vol.50 (1), p.204-213
2015
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A 90-nm CMOS 1.8-V 2-Gb NAND flash memory for mass storage applications
IEEE journal of solid-state circuits, 2003-11, Vol.38 (11), p.1934-1942
2003
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High-performance 1-Gb-NAND flash memory with 0.12-μm technology
IEEE journal of solid-state circuits, 2002-11, Vol.37 (11), p.1502-1509
2002
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A new gradual hole injection dual-gate LIGBT
IEEE electron device letters, 1998-12, Vol.19 (12), p.490-492
1998
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CB-BRT: a new base resistance-controlled thyristor employing a self-aligned corrugated p-base
IEEE electron device letters, 1998-12, Vol.19 (12), p.493-495
1998
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A 512-Gb 3-b/Cell 64-Stacked WL 3-D-NAND Flash Memory
IEEE journal of solid-state circuits, 2018-01, Vol.53 (1), p.124-133
2018
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Dual-gate shorted anode SOI lateral insulated gate bipolar transistor suppressing the snap-back
Japanese Journal of Applied Physics, 1997-03, Vol.36 (3B), p.1663-1666
1997
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A trench-gate silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor with the p+ cathode well
Japanese Journal of Applied Physics, 1995-02, Vol.34 (2B), p.854-859
1995
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A New Lateral Dual-Gate Thyristor with Current Saturation
Japanese Journal of Applied Physics, 2000-04, Vol.39 (4S), p.1979
2000
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A 1.8-Gb/s/Pin 16-Tb NAND Flash Memory Multi-Chip Package With F-Chip for High-Performance and High-Capacity Storage
IEEE journal of solid-state circuits, 2021-04, Vol.56 (4), p.1129-1140
2021
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A 1.8 V 1 Gb NAND flash memory with 0.12 mu m STI process technology
Digest of technical papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2002-01, p.80-81+410
2002
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A lateral trench-MOS bipolar-mode FET on silicon-on-insulator
Physica scripta, 1999-01, Vol.1999 (1), p.307
1999
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Open Access
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The maximum controllable current of emitter switched thyristors employing the segmented p-base
Physica scripta, 1999-01, Vol.1999 (1), p.294
1999
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High-performance 1-Gb-NAND flash memory with 0.12-/spl mu/m technology
IEEE journal of solid-state circuits, 2002-11, Vol.37 (11), p.1502-1509
2002
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High-performance 1-Gb-NAND flash memory with 0.12-[micro]m technology
IEEE journal of solid-state circuits, 2002-11, Vol.37 (11), p.1502
2002
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High-performance 1-Gb-NAND flash memory with 0.12-mum technology
IEEE journal of solid-state circuits, 2002-11, Vol.37 (11), p.1502-1509
2002
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Analytical solution of the breakdown voltage for 6 H -silicon carbide p + n junction
Journal of applied physics, 1996-03, Vol.79 (5), p.2796-2797
1996
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Optimum design of the field plate in the cylindrical p super(+)n junction: Analytical approach
Solid-state electronics, 1998-09, Vol.42 (9), p.1651-1655
1998
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Optimum design of the field plate in the cylindrical p +n junction: analytical approach
Solid-state electronics, 1998-09, Vol.42 (9), p.1651-1655
1998
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The breakdown voltage of negative curvatured p+n diodes using a SOI layer
Solid-state electronics, 1997-05, Vol.41 (5), p.787-788
1997
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