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CF3, CF2 and CF radical measurements in RF CHF3 etching plasma using infrared diode laser absorption spectroscopy
Japanese journal of applied physics, 1994, Vol.33 (7B), p.4298-4302
1994
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Shape evolution of low density InAs quantum dots in the partial capping process by using As2 source
Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.549-552
2013
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Nonlinear optical phase shift in InAs quantum dots measured by a unique two-color pump∕probe ellipsometric polarization analysis
Journal of applied physics, 2004-08, Vol.96 (3), p.1425-1434
2004
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Site-controlled InAs quantum dot formation grown on the templates fabricated by the Nano-Jet Probe method
Journal of crystal growth, 2009-03, Vol.311 (7), p.1819-1821
2009
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MOVPE growth of cubic GaN on GaAs using dimethylhydrazine
Journal of crystal growth, 1992-11, Vol.124 (1), p.439-442
1992
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Room-temperature pulsed oscillation of GaAlAs/GaAs surface emitting injection laser
Applied physics letters, 1984-08, Vol.45 (4), p.348-350
1984
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Room temperature pulsed oscillation of GaAlAs/GaAs surface emitting junction laser
IEEE journal of quantum electronics, 1985-06, Vol.21 (6), p.663-668
1985
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Observation of GaAs(110) surface by an ultrahigh-vacuum atomic force microscope
Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (6B), p.3739-3742
1994
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Trial fabrication of GaAlAs/GaAs surface-emitting injection laser
Japanese Journal of Applied Physics, 1984-01, Vol.23 (6), p.781-782
1984
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ThemaPhysics, Applied
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