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Zinc oxide thin film transistors using MgO-Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 composite gate insulator on glass substrate
Thin solid films, 2010-03, Vol.518 (10), p.2843-2846
2010
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Annealing effect on dielectric and leakage current characteristics of Mn-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films as gate insulators for low voltage ZnO thin film transistor
Thin solid films, 2008-01, Vol.516 (6), p.1218-1222
2008
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Effects of oxygen partial pressure on the microstructure and electrical properties of indium tin oxide film prepared by d.c. magnetron sputtering
Thin solid films, 1995-03, Vol.258 (1-2), p.274-278
1995
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Ir and Ru bottom electrodes for (Ba,Sr)TiO3 thin films deposited by liquid delivery source chemical vapor deposition
Thin solid films, 1998-06, Vol.323 (1-2), p.285-290
1998
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Pt-base electrodes and effects on phase formations and electrical properties of high-dielectric thin films
Thin solid films, 1995-11, Vol.269 (1-2), p.75-79
1995
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Structure and electrical properties of Pb(Zr,Ti)O3 thin films deposited by reactive sputtering using multi-targets
Thin solid films, 1995-10, Vol.266 (2), p.140-144
1995
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Deposition of PZT films by MOCVD at low temperature and their change in properties with annealing temperature and Zr/Ti ratio
Thin solid films, 1996-06, Vol.279 (1), p.140-144
1996
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Zinc oxide thin film transistors using MgO–Bi 1.5Zn 1.0Nb 1.5O 7 composite gate insulator on glass substrate
Thin solid films, 2010, Vol.518 (10), p.2843-2846
2010
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Effect of deposition parameters on the deposition characteristics of chemically vapour deposited PbTiO3
Thin solid films, 1988-11, Vol.165 (1), p.291-302
1988
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Compositional analysis of lead titanate thin films by Auger electron spectroscopy and their electrical properties
Thin solid films, 1989-04, Vol.171 (2), p.251-262
1989
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Annealing effect on dielectric and leakage current characteristics of Mn-doped Ba 0.6Sr 0.4TiO 3 thin films as gate insulators for low voltage ZnO thin film transistor
Thin solid films, 2008, Vol.516 (6), p.1218-1222
2008
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Structure and electrical properties of Pb(Zr,Ti)O sub(3) thin films deposited by reactive sputtering using multi-targets
Thin solid films, 1995-01, Vol.266 (2), p.140-144
1995
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Structure and electrical properties of Pb(Zr,Ti)O 3 thin films deposited by reactive sputtering using multi-targets
Thin solid films, 1995-10, Vol.266 (2), p.140-144
1995
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Ir and Ru bottom electrodes for (Ba, Sr)TiO sub(3) thin films deposited by liquid delivery source chemical vapor deposition
Thin solid films, 1998-06, Vol.323 (1-2), p.285-290
1998
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Ir and Ru bottom electrodes for (Ba, Sr)TiO 3 thin films deposited by liquid delivery source chemical vapor deposition
Thin solid films, 1998, Vol.323 (1), p.285-290
1998
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Effect of deposition parameters on the deposition characteristics of chemically vapour deposited PbTiO 3
Thin solid films, 1988, Vol.165 (1), p.291-302
1988
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The effect of glass frits on the microstructure and electrical properties of bismuth ruthenate thick film resistors
Thin solid films, 1991, Vol.195 (1), p.43-52
1991
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The role of gas-phase nucleation in the preparation of TiO2 films by chemical vapor deposition
Thin solid films, 1993-06, Vol.229 (2), p.187-191
1993
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