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Whole-Wafer Mapping of Dislocations in 4H-SiC Epitaxy
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.295-298, Article 295
2007
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Initial Stages of the Graphite-SiC(0001) Interface Formation Studied by Photoelectron Spectroscopy
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.525-528
2007
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High Throughput SiC Wafer Polishing with Good Surface Morphology
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.753-756
2007
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Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.807-810
2007
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Reliability of SiC Power Devices Against Cosmic Radiation-Induced Failure
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.851-856
2007
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High Voltage Silicon Carbide Schottky Diodes with Single Zone Junction Termination Extension
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.873-876
2007
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Electronic Structure of Graphite/6H-SiC Interfaces
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.701-704
2007
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A Case for High Temperature, High Voltage SiC Bipolar Devices
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.687-692
2007
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Very High Growth Rate Epitaxy Processes with Chlorine Addition
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.157-160
2007
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Nitrogen Donor Aggregation in 4H-SiC: g-Tensor Calculations
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.391-394
2007
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Defect and Growth Analysis of SiC Bulk Single Crystals with High Nitrogen Doping
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.239-242
2007
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Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation on p+n Junction 4H-SiC Diodes
Materials science forum, 2007-09, Vol.556-557, p.917-920
2007
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Sodium Enhanced Oxidation of Si-Face 4H-SiC: A Method to Remove Near Interface Traps
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.487-492
2007
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Damage-Free Planarization of 4H-SiC (0001) by Catalyst-Referred Etching
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.749-751
2007
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Time-Dependent Dielectric Breakdown of Thermal Oxides on 4H-SiC
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.675-678, Article 675
2007
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Migration of Dislocations in 4H-SiC Epilayers during the Ion Implantation Process
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.271-274
2007
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Control of the Flatband Voltage of 4H-SiC Metal-Oxide Semiconductor (MOS) Capacitors by Co-Implantation of Nitrogen and Aluminum
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.555-560
2007
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Realization of Low On-Resistance 4H-SiC Power MOSFETs by Using Retrograde Profile in P-Body
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.827-830
2007
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Ellipsometric and MEIS Studies of 4H-SiC/Si/SiO2 and 4H-SiC/SiO2 Interfaces for MOS Devices
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.509-512
2007
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SiC-Based Power Converters for High Temperature Applications
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.965-970
2007
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In Situ Measurement of Nitrogen during Growth of 4H-SiC by CVD
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.125-128
2007
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A Comparison of High Temperature Performance of SiC DMOSFETs and JFETs
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.775-778
2007
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  • BibTeX
Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-Grown Al2O3 Gate Insulator
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.787-790
2007
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Potential Benefits of Silicon Carbide Zener Diodes Used as Components of Intrinsically Safe Barriers
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.937-940
2007
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Behavior of Basal Plane Dislocations and Low Angle Grain Boundary Formation in Hexagonal Silicon Carbide
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.231-234
2007
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Zeitschrift / SerieSilicon Carbide And Related Materials 2006
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