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Heating of Electrons in Pure Ge in a Quantum Magnetic Field Upon the Thermal Excitation of Charge Carriers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-03, Vol.54 (3), p.275-277
2020
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Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-06, Vol.57 (6), p.305-309
2023
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Study of Heavily Doped n-3C-SiC Epitaxial Films Grown on 6H-SiC Semi-Insulating Substrates by Sublimation Method
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-02, Vol.57 (2), p.121-124
2023
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Electrical Breakdown in Pure n- and p-Si
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-03, Vol.52 (3), p.273-277
2018
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Irradiation with Argon Ions of Cr/4H-SiC Photodetectors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-03, Vol.56 (3), p.184-188
2022
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Influence of Rapid Thermal Annealing on the Distribution of Nitrogen Atoms in GaAsN/GaAs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-12, Vol.57 (12), p.550-553
2023
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On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-04, Vol.56 (4), p.253-258
2022
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Structural and Optical Characteristics of 4H-SiC UV Detectors Irradiated with Argon Ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-11, Vol.54 (11), p.1478-1482
2020
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Correcting the Characteristics of Silicon Photodiodes by Ion Implantation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-06, Vol.54 (6), p.666-671
2020
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Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetectors with Schottky Barriers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-06, Vol.53 (6), p.844-849, Article 844
2019
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Photoluminescence and Transmission Electron Microscopy Methods for Characterization of Super-Multiperiod A3B5 Quantum Well Structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-12, Vol.53 (14), p.1914-1917
2019
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Influence of a Quantum Magnetic Field on the Heating of Charge Carriers in Pure Germanium
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-01, Vol.53 (1), p.9-13
2019
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Effect of Temperature on the Characteristics of 4H-SiC UV Photodetectors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-02, Vol.54 (2), p.246-252
2020
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Optical Properties of GaN/SiC/por-Si/Si(111) Hybrid Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-04, Vol.54 (4), p.417-425
2020
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Growth of GaN Layers on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-05, Vol.52 (5), p.660-663
2018
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Processing of GaN/Si(111) Epitaxial Structures for MEMS Applications
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (16), p.2117-2119
2018
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Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (16), p.2128-2131
2018
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Experimental Study of Spontaneous Emission in the Bragg Multiple Quantum Wells Structure of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (14), p.1822-1826
2018
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Features of the Initial Stage of GaN Growth on Si(111) Substrates by Nitrogen-Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (12), p.1529-1533
2018
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Structural, Electrical, and Optical Properties of 4H–SiC for Ultraviolet Photodetectors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (12), p.1628-1633
2020
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MBE growth of GaP on a Si substrate
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-04, Vol.49 (4), p.559-562
2015
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On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1187-1191
2019
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Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 μm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1299-1303
2016
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Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-02, Vol.53 (2), p.180-187
2019
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Design of multijunction GaPNAs/Si heterostructure solar cells by computer simulation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-03, Vol.48 (3), p.381-386
2014
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