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Effect of the Chloropentafluoroethane Additive in Chlorine-Containing Plasma on the Etching Rate and Etching-Profile Characteristics of Gallium Arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-11, Vol.55 (11), p.865-868
2021
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Formation of Ohmic Contacts to a Diamond-Like Carbon Layer Deposited on a Dielectric Diamond Substrate
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1056-1058
2020
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Carbon Films Produced by the Pulsed Laser Method and Their Influence on the Properties of GaAs Structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1059-1063
2020
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Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-07, Vol.53 (7), p.882-886
2019
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Formation of Carbon Layers by the Thermal Decomposition of Carbon Tetrachloride in a Reactor for MOCVD Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-08, Vol.54 (8), p.956-960
2020
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Plasma Chemical Deposition of Hydrogenated DLC Films with Different Hydrogen and sp3-Hybrid Carbon Content
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2024, Vol.58 (1), p.57-60
2024
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Modification of the Ratio between sp2- to sp3-Hybridized Carbon Components in PECVD Diamond-Like Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020, Vol.54 (9), p.1047-1050
2020
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Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1439-1442
2016
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Doping of Carbon Layers Grown by the Pulsed Laser Technique
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-08, Vol.55 (8), p.660-666
2021
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Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1318-1323
2019
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Plasma-Chemical Deposition of Diamond-Like Films onto the Surface of Heavily Doped Single-Crystal Diamond
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1203-1206
2019
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Plasma Chemical Etching of Gallium Arsenide in C2F5Cl-Based Inductively Coupled Plasma
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-11, Vol.52 (11), p.1473-1476
2018
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Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1552-1556
2017
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Ohmic Contacts to CVD Diamond with Boron-Doped Delta Layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1348-1352
2019
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Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer δ-doped with Mn
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1469-1474
2016
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Features of the selective manganese doping of GaAs structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-11, Vol.51 (11), p.1415-1419
2017
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Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1511-1514
2016
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Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1569-1573
2016
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Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017, Vol.51 (8), p.1106-1106
2017
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Modification of the Ratio between sp.sup.2- to sp.sup.3-Hybridized Carbon Components in PECVD Diamond-Like Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1047
2020
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Si3N4 layers for the in-situ passivation of GaN-based HEMT structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-11, Vol.49 (11), p.1421-1424
2015
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Study of multilayered SiGe semiconductor structures by X-ray diffractometry, grazing-incidence X-ray reflectometry, and secondary-ion mass spectrometry
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-12, Vol.47 (12), p.1556-1561
2013
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Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge Substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1318
2019
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Quantitative calibration and germanium SIMS depth profiling in GexSi1 − x/Si heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1109-1117
2014
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Quantitative calibration and germanium SIMS depth profiling in Ge x Si1 − x /Si heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1109-1117
2014
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