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2016
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-12, Vol.57 (12), p.554-569
2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-07, Vol.57 (7), p.331-338
2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2024-03, Vol.58 (3), p.231-237
2024
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Electroluminescence in n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructures with a Single Quantum Well Grown by MOVPE
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-05, Vol.57 (5), p.252-256
2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1357-1362
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-09, Vol.52 (9), p.1215-1220
2018
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-07, Vol.54 (7), p.796-802
2020
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1148-1152
2017
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-07, Vol.55 (7), p.601-607
2021
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-08, Vol.52 (8), p.1037-1042
2018
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-04, Vol.52 (4), p.493-496
2018
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1537-1541
2017
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1338-1343
2016
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1356-1361
2016
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.261-265
2016
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1318-1323
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1059-1063
2020
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1403-1407
2016
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (13), p.1754-1757
2018
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-06, Vol.51 (6), p.714-717
2017
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-07, Vol.55 (7), p.601
2021
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-07, Vol.51 (7), p.920-923
2017
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1318
2019
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