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20 000 h reliable operation of 100 μm stripe width 650 nm broad area lasers at more than 1.1 W output power
Semiconductor science and technology, 2011-10, Vol.26 (10), p.1-2
2011
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Increased diffraction efficiencies of DBR gratings in diode lasers with adiabatic ridge waveguides
Semiconductor science and technology, 2016-12, Vol.31 (12), p.125011
2016
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Wavelength stabilized ns-MOPA diode laser system with 16 W peak power and a spectral line width below 10 pm
Semiconductor science and technology, 2014-03, Vol.29 (3), p.35012
2014
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Wavelength stabilized 785 nm DBR-ridge waveguide lasers with an output power of up to 215 mW
Semiconductor science and technology, 2014-04, Vol.29 (4), p.45025
2014
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Experimental and theoretical study of finite-aperture tapered unstable resonator lasers
Semiconductor science and technology, 2012-10, Vol.27 (10), p.105002
2012
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20 000 h reliable operation of 100 µm stripe width 650 nm broad area lasers at more than 1.1 W output power
Semiconductor science and technology, 2011-10, Vol.26 (10), p.105011
2011
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