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Ferromagnetism and Near-infrared Luminescence in Neodymium and Erbium Doped Gallium Nitride via Diffusion
MRS proceedings, 2009, Vol.1183 (1), p.37-42, Article 1183-FF06-01
2009
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Correlations Between Optical Transmission and Magnetic Properties of Doped and Undoped GaMnN
MRS proceedings, 2007, Vol.999, Article 0999-K06-06
2007
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Microstructural and Magnetotransport (EHE) Properties of Epitaxial τ-MnAl on (100)GaAs Substrates by Pulsed Laser Deposition
MRS proceedings, 1995, Vol.403, Article 695
1995
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Detection and Analysis of Phase Separation in Metalorganic Chemical Vapor Deposition InGaN
MRS proceedings, 1997, Vol.482, Article 125
1997
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Epitaxial CeO 2 on Silicon Substrates and the Potential of Si/CeO 2 /Si for SOI Structures
MRS proceedings, 1997, Vol.474, Article 339
1997
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Epitaxial CeO 2 Growth on Si (111) for SOI
MRS proceedings, 1994, Vol.341, Article 107
1994
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Growth and Characterization of AllnGaN/InGaN Heterostructures
MRS proceedings, 1996, Vol.423, Article 341
1996
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Stacked InGaN/AlGaN Double Heterostructures
MRS proceedings, 1996, Vol.449, Article 1161
1996
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Growth of High Quality InGaN Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
MRS proceedings, 1995, Vol.395, Article 273
1995
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MBE Growth of III-V Nitride Films and Quantum-Well Structures Using Multiple RF Plasma Sources
MRS proceedings, 1996, Vol.449, Article 271
1996
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Lattice Distortion Induced by Laser Assisted MOCVD of GaAs
MRS proceedings, 1988, Vol.129, Article 165
1988
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Effect of Highly Strained Superlattices on the Threading Dislocation Behavior in GaAs Grown on Silicon
MRS proceedings, 1988, Vol.130, Article 165
1988
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Laser Stimulated Deposition of GaAs, GaAsP and GaAsP-GaAs Superlattices
MRS proceedings, 1986, Vol.75, Article 241
1986
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The Role of Gas Phase Decomposition in the ALE Growth of III–V Compounds
MRS proceedings, 1991, Vol.222, Article 133
1991
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Manipulation of Room Temperature Ferromagnetic behavior of GaMnN Epilayers
MRS proceedings, 2009, Vol.1198 (1), p.36-41, Article 1198-E07-13
2009
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Defect Reduction in GaAs Epilayers on Si Substrates Using Strained Layer Superlattices
MRS proceedings, 1987, Vol.91, Article 99
1987
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Electrical and structural properties of annealed epitaxial CeO sub(2) films on Si(111) substrates
MRS proceedings, 1996-01, Vol.401, p.121-126
1996
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Electrical and Structural Properties of Annealed Epitaxial Ceo2 Films on Si(111) Substrates
MRS proceedings, 1995, Vol.401
1995
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Electrical and Structural Properties of Annealed Epitaxial Ceo 2 Films on Si(111) Substrates
MRS proceedings, 1995, Vol.401, Article 121
1995
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AlGaInN Quaternary Alloys by MOCVD
MRS proceedings, 1995, Vol.395, Article 219
1995
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High Quality GaAs on Soi by MOCVD
MRS proceedings, 1989, Vol.160, Article 457
1989
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High Quality GaAs on Si by Selective Area Epitaxy
MRS proceedings, 1990, Vol.198, Article 39
1990
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Growth and Characterization of InP/GaAs on Soi by Mocvd
MRS proceedings, 1990, Vol.198, Article 247
1990
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Molecular Beam Epitaxial Growth of Gaas on Silicon with Buried Implanted Oxides
MRS proceedings, 1987, Vol.107, Article 513
1987
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Atomic Layer Epitaxy of GaAs on Si by Mocvd
MRS proceedings, 1989, Vol.145, Article 331
1989
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