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  • BibTeX
1200 V 4H-SiC DMOSFET with an Integrated Gate Buffer
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.939-942
2014
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13-kV, 20-A 4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.855-858
2014
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2 kV 4H-SiC Junction FETs
Materials science forum, 2002-04, Vol.389-393, p.1227-1230
2002
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20 kV 4H-SiC N-IGBTs
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1030-1033
2014
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3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.899-902, Article 899
2014
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A 3D Quasiperiodic Tiling by Projection from 10D Space
Materials science forum, 1994-01, Vol.150-151, p.175-178
1994
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4H-SiC Bulk Growth Using High-Temperature Gas Source Method
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.51-54
2014
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4H-SiC Diode Avalanche Breakdown Voltage Estimation by Simulation and Junction Termination Extension Analysis
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.824-827
2014
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4H-SiC Epitaxial Growth on C-Face 150 mm SiC Substrate
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.193-196
2014
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4H-SiC Planarization Using Catalyst-Referred Etching with Pure Water
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.722-725
2014
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4H-SiC Trench MOSFET with Bottom Oxide Protection
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.919-922
2014
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50 μm-Thick 100 mm 4H-SiC Epitaxial Layer Growth by Warm-Wall Planetary Reactor
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.163-166
2014
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600 V -Class V-Groove SiC MOSFETs
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.931-934
2014
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  • BibTeX
650V SiC JFET for High Efficiency Applications
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.871-874
2014
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  • BibTeX
Accurate Characterization of Interface State Density of SiC MOS Structures and the Impacts on Channel Mobility
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.418-423
2014
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  • BibTeX
AFM Observations of Microstructures of Deposited Magnesium on Magnesium Alloys
Materials science forum, 2000-08, Vol.350-351, p.241-246
2000
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  • BibTeX
Aging and Precipitation Behavior in Supersaturated Al-2%Fe Alloy Produced by High-Pressure Torsion
Materials science forum, 2014-06, Vol.794-796, p.766-771
2014
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  • BibTeX
Analysis on Generation of Localized Step-Bunchings on 4H-SiC(0001)Si Face by Synchrotron X-Ray Topography
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.398-401
2014
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  • BibTeX
Analyzing Method of Surface Structures by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
Materials science forum, 1996-03, Vol.204-206, p.755-0
1996
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Anisotropy and Dimensional Characteristics in CVD Route Y1Ba2Cu3O7-δ
Materials science forum, 1993-08, Vol.137-139, p.277-288
1993
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Anomalous Activity of Nonbasal Dislocations in AZ31 Mg Alloys at Room Temperature
Materials science forum, 2003-01, Vol.419-422, p.231-236
2003
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Open Access
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Applications of Vapor-Liquid-Solid Selective Epitaxy of Highly p-Type Doped 4H-SiC: PiN Diodes with Peripheral Protection and Improvement of Specific Contact Resistance of Ohmic Contacts
Materials science forum, 2014-01, Vol.778-780, p.639-644
2014
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An Approach to Trace Defects Propagation during SiC Epitaxy
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.147-150
2014
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Atomic Structure and Chemical Bonding State of Sapphire Bicrystal
Materials science forum, 1998-11, Vol.294-296, p.273-276
1998
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Backside Monitoring of Graphene on Silicon Carbide by Raman Spectroscopy
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1166-1169
2014
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