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Superfast Drift Step Recovery Diodes (DSRDs) and Vacuum Field Emission Diodes Based on 4H-SiC
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.1010-1013
2013
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Growth of Low-Defect SiC and AlN Crystals in Refractory Metal Crucibles
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.85-90
2013
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Open Access
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Point Defects in SiC as a Promising Basis for Single-Defect, Single-Photon Spectroscopy with Room Temperature Controllable Quantum States
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.425-430
2013
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P-6H-SiC Conductivity Compensation after Irradiation of 8MeV Protons
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.353-356
2013
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Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.525-528
2013
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A Study of the Intermediate Layer in 3C-SiC/6H-SiC Heterostructures
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.247-250
2014
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Micromechanics Based on Silicon Carbide
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.998-1001
2013
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Electron Transport Features in Heterostructures 3C-SiC(n)/Si(p) at the Elevated Temperatures
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.498-501
2013
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Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 4H-SiC pn Structure
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.569-572
2013
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Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.865-868
2013
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Photoluminescence Spectroscopy of Neutron-Irradiated Cubic SiC Crystals
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.417-420
2013
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Anomalous Scatter of Forward Current-Voltage Characteristics of He+-Irradiated Ni/4H-SiC Schottky Diodes
Materials science forum, 2016-05, Vol.858, p.749-752
2016
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4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.1048-1051
2013
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Correlation of Interface Characteristics to Electron Mobility in Channel-Implanted 4H-SiC Mosfets
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.537-540
2013
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Anomalous Scatter of Forward Current-Voltage Characteristics of He super(+)-Irradiated Ni/4H-SiC Schottky Diodes
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.749-752
2016
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  • BibTeX
Comparative Analysis of Defect Formation in Silicon Carbide under Electron and Proton Irradiation
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.369-372
2013
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  • BibTeX
Electrophysical and Optical Properties of 4H-SiC Irradiated with Xe Ions
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.625-628
2013
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Recombination and Excess Currents in 4H-SiC Structure with Low-Doped n-Region
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.565-568
2013
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Low-Temperature Transport Properties of Graphene and Multilayer Graphene on 6H-SiC
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.137-140
2013
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Verification of Near-Interface Traps Models by Electrical Measurements on 4H-SiC n-Channel Mosfets
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.533-536
2013
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A Comparison of Free Carrier Absorption and Capacitance Voltage Methods for Interface Trap Measurements
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.465-468
2013
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Reverse Leakage Currents in High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.877-880
2013
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Polar Faces of 6H-SiC Substrates, TEM Investigations
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.267-270
2013
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Complex Study of SiC Epitaxial Films
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.593-596
2013
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Sublimation Growth of Bulk AlN Crystals on SiC Seeds
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.95-98
2013
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