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Electron Transport Features in Heterostructures 3C-SiC(n)/Si(p) at the Elevated Temperatures
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.498-501
2013
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Superfast Drift Step Recovery Diodes (DSRDs) and Vacuum Field Emission Diodes Based on 4H-SiC
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.1010-1013
2013
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Temperature Dependence of Minority Carrier Lifetime in Epitaxially Grown p super(+)-p super(-)-n super(+) 4H-SiC Drift Step Recovery Diodes
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.632-635
2015
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Nitrogen Centers in Nanodiamonds: EPR Studies
Materials science forum, 2010-01, Vol.645-648, p.1239-1242
2010
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High-Temperature Stable Multi-Defect Clusters in Neutron Irradiated Silicon Carbide: Electron Paramagnetic Resonance Study
Materials Science Forum, 2005-01, Vol.483-485, p.489-492
2005
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Identification of the Triplet State N-V Defect in Neutron Irradiated Silicon Carbide by Electron Paramagnetic Resonance
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.555-558
2006
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Evidence of the Ground Triplet State of Silicon-Carbon Divacancies (P6, P7 Centers) in 6H SiC: An EPR Study
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.535-538
2006
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Probing of the Wave Function of Shallow Donors and Acceptors by EPR in SiC Crystals with Changed Isotopic Composition
Materials Science Forum, 2005-05, Vol.483-485, p.507-510
2005
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Identification of Iron and Nickel in 6H-SiC by Electron Paramagnetic Resonance
Materials science forum, 2001-01, Vol.353-356, p.529-532
2001
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Identification of Iron Transition Group Trace Impurities in GaN Bulk Crystals by Electron Paramagnetic Resonance
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1167-1172
1997
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X-Band ENDOR of Boron and Beryllium Acceptors in Silicon Carbide
Materials science forum, 1998-01, Vol.264-268, p.595-598
1998
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