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Atmospheric vapor-transport method for growth of VO2 single-crystalline nano- and microwires
Journal of the Korean Physical Society, 2021, 78(1), , pp.6-10
2021
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Correction to: Atmospheric vapor-transport method for growth of VO2 single-crystalline nano- and microwires
Journal of the Korean Physical Society, 2021, Vol.78 (6), p.557-557
2021
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Electron-Beam Irradiation of Livestock Wastewater in the Presence of Natural Zeolite
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 54(5), , pp.2109-2114
2009
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Frequency-controllable Room-temperature Electrical Oscillation in Two-terminal Device Based on VO2 Thin Film
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 55(1), , pp.134-139
2009
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Repetition-rate-selectable High-speed Optical Gating in a VO2 Thin Film Based on Gain Modulation of Optical Amplifier
Journal of the Korean Physical Society, 2010, 57(61), , pp.1755-1759
2010
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Analysis of the Surface Morphology and the Resistance of VO2 Thin Films on M-Plane Al2O3
Journal of the Korean Physical Society, 2007-03, Vol.50 (3), p.653
2007
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Voltage-induced Current-jump Assisted by Infrared or Temperature in p-type GaAs
Journal of the Korean Physical Society, 2010, 57(61), , pp.1769-1772
2010
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Temperature Dependence of Metal-Insulator Transition in Mn-Doped p-Type GaAs
Journal of the Korean Physical Society, 2007-03, Vol.50 (3), p.844
2007
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Frequency-controllable Room-temperature Electrical Oscillation inTwo-terminal Device Based on VO$_2$ Thin Film
Journal of the Korean Physical Society, 2009-07, Vol.55 (1), p.134-139
2009
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Analysis of the Surface Morphology and the Resistance of VO2 Thin Films on M-Plane Al2O3
Journal of the Korean Physical Society, 2007, 50(3), , pp.653-656
2007
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Observation of Abrupt Metallic Transitions in p-Type GaAs Devices and Comparison with Avalanche Breakdown in the InGaAs APD
Journal of the Korean Physical Society, 2005, 47(1), , pp.1-5
2005
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Amorphous-Like Interfacial Layer Between a High-Tc Superconducting Tl-1223 Film and a Ag Substrate Examined by High-Voltage High-Resolution Transmission Electron Microscopy
Journal of the Korean Physical Society, 2006, 48(5I), , pp.1155-1158
2006
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Surface and Electrical Properties of Inductively-coupled Plasma-etched N-face n-GaN and a Method of Reducing the Ohmic Contact Resistance of Plasma-damaged N-face n-GaN
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 55(3), , pp.1140-1144
2009
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Aging Study with High-Level Radiation Sources for the CMS Forward RPCs
Journal of the Korean Physical Society, 2008, 52(3), , pp.913-919
2008
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The ``pulsation'' of the atomic wave packet
Journal of the Korean Physical Society, 2003, 42(1), , pp.106-110
2003
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Growth-Temperature Dependent Property of GaN Barrier Layer and Its Effect on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
Journal of the Korean Physical Society, 2003, 42(IV), , pp.557-561
2003
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