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Improved output power of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes with sputtered AlN nucleation layer
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.414, p.258-262
2015
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Photoluminescence studies of modulation-doped [formula omitted] strained multiple quantum wells
Journal of crystal growth, 1995-06, Vol.152 (1), p.28-33
1995
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Self-assembled growth of BiFeO3 meso-octahedral particles synthesized by a facile surfactant-free hydrothermal method
Journal of crystal growth, 2016-01, Vol.434, p.42-46
2016
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Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates
Journal of crystal growth, 2011-11, Vol.334 (1), p.96-102
2011
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Single crystal growth of the pyrochlores R2Ti2O7 (R=rare earth) by the optical floating-zone method
Journal of crystal growth, 2013-08, Vol.377, p.96-100
2013
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Single crystal growth of CuFe1−Ga O2 by the optical floating-zone method
Journal of crystal growth, 2016-07, Vol.446, p.79-84
2016
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Single crystal growth of CuFe1−xGaxO2 by the optical floating-zone method
Journal of crystal growth, 2016-07, Vol.446, p.79-84
2016
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Formation of GaN nanorods by a sublimation method
Journal of crystal growth, 2000-06, Vol.213 (3), p.408-410
2000
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Fabrication of zinc oxide nanorods
Journal of crystal growth, 2001-11, Vol.233 (1), p.5-7
2001
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Crystal growth and characterization of Haldane chain compound Ni(C 3H 10N 2) 2NO 2ClO 4
Journal of crystal growth, 2011, Vol.327 (1), p.215-220
2011
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Growth of (CH 3) 2NH 2CuCl 3 single crystals using evaporation method with different temperatures and solvents
Journal of crystal growth, 2010, Vol.312 (21), p.3243-3246
2010
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Growth of (CH3)2NH2CuCl3 single crystals using evaporation method with different temperatures and solvents
Journal of crystal growth, 2010-10, Vol.312 (21), p.3243-3246
2010
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Crystal growth and characterization of Haldane chain compound Ni(C3H10N2)2NO2ClO4
Journal of crystal growth, 2011-07, Vol.327 (1), p.215-220
2011
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Gaseous etching of 6H–SiC at relatively low temperatures
Journal of crystal growth, 2000-07, Vol.217 (1), p.115-124
2000
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  • BibTeX
Growth temperature effect on the optical and material properties of AlxInyGa1−x−yN epilayers grown by MOCVD
Journal of crystal growth, 2003-01, Vol.247 (1-2), p.84-90
2003
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  • BibTeX
Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP
Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.275 (1), p.e381-e385
2005
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  • BibTeX
The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing
Journal of crystal growth, 2003-06, Vol.253 (1), p.59-63
2003
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  • BibTeX
Growth temperature effect on the optical and material properties of Al xIn yGa 1− x− yN epilayers grown by MOCVD
Journal of crystal growth, 2003, Vol.247 (1), p.84-90
2003
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Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 μm
Journal of crystal growth, 2002-09, Vol.243 (3), p.432-438
2002
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Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
Journal of crystal growth, 2002-06, Vol.241 (3), p.304-308
2002
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A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
Journal of crystal growth, 2002-05, Vol.241 (1), p.69-73
2002
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A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
Journal of crystal growth, 2002-08, Vol.243 (1), p.25-29
2002
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  • BibTeX
Correlation of structural and optical investigation of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser
Journal of crystal growth, 2003-06, Vol.253 (1), p.198-202
2003
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  • BibTeX
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
Journal of crystal growth, 1999-05, Vol.201, p.530-533
1999
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Optical characterization of strained InxGa1− xAs− Al0.28Ga0.72As heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 1993-12, Vol.134 (3), p.240-246
1993
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