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Comparison of hydrogen passivation of ZnSe:N using gas source and conventional molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.266-270
1996
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Effect of laser on MOMBE of ZnSe using gaseous and solid sources
Journal of crystal growth, 1993-02, Vol.127 (1), p.323-326
1993
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p-Type and n-type doping of ZnSe: Effects of hydrogen incorporation
Journal of crystal growth, 1995-05, Vol.150 (1-4), p.729-733
1995
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Wide-gap II–VI heterostructures
Journal of crystal growth, 1990-04, Vol.101 (1), p.14-22
1990
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(In,Ga)P buffer layers for ZnSe-based visible emitters
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.1-7
1994
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MBE of wide bandgap II–VI compounds
Journal of crystal growth, 1990, Vol.99 (1), p.390-398
1990
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Overgrowth of (In,Ga)(As,P) on rectangular-patterned surfaces using gas source molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 1999-03, Vol.198, p.1104-1110
1999
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Reduction of extended defects in II–VI blue-green laser diodes
Journal of crystal growth, 1997-05, Vol.175-176, p.552-557
1997
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Incorporation processes in MBE growth of ZnSe
Journal of crystal growth, 1989-02, Vol.95 (1), p.533-537
1989
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Diluted magnetic semiconductor superlattices
Journal of crystal growth, 1985-01, Vol.72 (1), p.294-298
1985
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Use of Rheed oscillations for the growth of 2D magnetic semiconductor superlattices (MnSe/ZnSe)
Journal of crystal growth, 1987-02, Vol.81 (1), p.491-494
1987
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Physics and engineering of diluted magnetic semiconductor superlattices
Journal of crystal growth, 1989-02, Vol.95 (1), p.589-593
1989
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II–VI/III–V heterointerfaces: Epilayer-on-epilayer structures
Journal of crystal growth, 1989-02, Vol.95 (1), p.567-571
1989
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