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Lifetime behavior of laser diodes with highly strained InGaAs QWs and emission wavelength between 1120 nm and 1180 nm
Journal of crystal growth, 2018-06, Vol.491, p.31-35
2018
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Growth of laser diode structures with emission wavelength beyond 1100 nm for yellow-green emission by frequency conversion
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.414, p.205-209
2015
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Combined Mg/Zn p-type doping for AlGaInP laser diodes
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.414, p.215-218
2015
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MOVPE growth of Al0.85Ga0.15As for high power laser diodes emitting at 808 nm
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.221-225
2013
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MOVPE growth of Al0.85Ga0.15As for high power laser diodes emitting at 808nm
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.221-225
2013
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MOVPE growth of Al sub(0.85)Ga sub(0.15)As for high power laser diodes emitting at 808 nm
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.221-225
2013
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MOVPE growth of laser structures for high-power applications at different ambient temperatures
Journal of crystal growth, 2016-10, Vol.452, p.258-262
2016
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Characterization and optimization of 2-step MOVPE growth for single-mode DFB or DBR laser diodes
Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.74-77
2011
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Growth of laser diode structures with emission wavelength beyond 1100nm for yellow–green emission by frequency conversion
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.414, p.205-209
2015
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In-situ etching of patterned GaAs/InGaP surfaces for highly efficient 975 nm DFB-BA diode lasers
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.226-229
2013
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MOVPE growth of InGaAs/GaAsP-MQWs for high-power laser diodes studied by reflectance anisotropy spectroscopy
Journal of crystal growth, 2009-02, Vol.311 (4), p.1065-1069
2009
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In-situ etching of patterned GaAs/InGaP surfaces for highly efficient 975nm DFB-BA diode lasers
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.226-229
2013
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MOVPE growth optimization for laser diodes with highly strained InGaAs MQWs
Journal of crystal growth, 2007, Vol.298, p.652-657
2007
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Interdiffusion in highly strained InGaAs-QWs for high power laser diode applications
Journal of crystal growth, 2004-12, Vol.272 (1), p.531-537
2004
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MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells
Journal of crystal growth, 1998-02, Vol.183 (4), p.511-518
1998
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Comprehensive characterization of MOVPE-grown AlGaAs/AlAs distributed Bragg reflector structures by optical reflectance, X-ray diffraction and atomic force microscopy
Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.274 (3-4), p.331-338
2005
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Highly strained very high-power laser diodes with InGaAs QWs
Journal of crystal growth, 2003-02, Vol.248, p.354-358
2003
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Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050 nm
Journal of crystal growth, 2000-12, Vol.221 (1), p.496-502
2000
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Interdiffusion-induced degradation of 1017 nm ridge waveguide laser diodes
Journal of crystal growth, 2000-03, Vol.210 (1), p.307-312
2000
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Ordering in GaxIn1-xAsyP1-y grown on GaAs by metalorganic vapour-phase epitaxy
Journal of crystal growth, 1998-12, Vol.195 (1-4), p.694-699
1998
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MOVPE growth of tunable DBR laser diode emitting at 1060 nm
Journal of crystal growth, 1998-12, Vol.195 (1), p.676-680
1998
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Influence of the growth temperature and substrate orientation on the layer properties of MOVPE-grown (Ga,In)(As,P)/GaAs
Journal of crystal growth, 1997, Vol.170 (1-4), p.281-286
1997
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Interdiffusion-induced degradation of 1017nm ridge waveguide laser diodes
Journal of crystal growth, 2000-03, Vol.210 (1-3), p.307-312
2000
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Influence of the growth temperature and substrate orientation on the layer properties of MOVPE-growth [formula omitted]
Journal of crystal growth, 1997-01, Vol.170 (1-4), p.281-286
1997
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Effect of growth interruption on performance of AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum well lasers
Journal of crystal growth, 1994-12, Vol.145 (1), p.907-910
1994
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