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Neutron production by fast protons from ultraintense laser-plasma interactions
Journal of applied physics, 2004-12, Vol.96 (11), p.6912-6918
2004
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Ultrahigh strain-rate bending of copper nanopillars with laser-generated shock waves
Journal of applied physics, 2013-12, Vol.114 (23)
2013
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Infrared dielectric constant of cubic SiC
Journal of applied physics, 1995-12, Vol.78 (12), p.7255-7258
1995
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Quantum mechanical correction on capacitance-voltage characteristics of narrow gap semiconductors
Journal of applied physics, 1991-08, Vol.70 (4), p.2208-2210
1991
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Far-field characteristics of mid-infrared angled-grating distributed feedback lasers
Journal of applied physics, 2000-12, Vol.88 (12), p.6997-7005
2000
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Observation of spin polarized transport across a ferromagnet–two-dimensional electron gas interface (invited)
Journal of applied physics, 2000-05, Vol.87 (9), p.4665-4669
2000
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Electronic properties of silicon δ-doped InSb
Journal of applied physics, 1992-07, Vol.72 (2), p.671-675
1992
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Nanometer-size InAs/AlSb quantum wires: Fabrication and characterization of Aharonov–Bohm quantum rings
Journal of applied physics, 2000-11, Vol.88 (9), p.5272-5276
2000
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Transport properties of Be- and Si-doped AlSb
Journal of applied physics, 2000-06, Vol.87 (11), p.7876-7879
2000
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Thermal conductivity of AlAs0.07Sb0.93 and Al0.9Ga0.1As0.07Sb0.93 alloys and (AlAs)1/(AlSb)11 digital-alloy superlattices
Journal of applied physics, 2002-11, Vol.92 (9), p.4994-4998
2002
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Optimum growth parameters for type-II infrared lasers
Journal of applied physics, 1999-08, Vol.86 (4), p.1796-1799
1999
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Photoluminescence of InAs1−xSbx/AlSb single quantum wells: Transition from type-II to type-I band alignment
Journal of applied physics, 2000-06, Vol.87 (11), p.8192-8194
2000
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Type-II quantum-well “W” lasers emitting at λ=5.4–7.3 μm
Journal of applied physics, 1999-11, Vol.86 (9), p.4729-4733
1999
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Determination of temperature dependence of GaSb absorption edge and its application for transmission thermometry
Journal of applied physics, 1999-05, Vol.85 (9), p.6632-6635
1999
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A study of the perpendicular magnetic microstructure of the L10 FePt epitaxial film using electron holography
Journal of applied physics, 2012-04, Vol.111 (7), p.07E332-07E332-3
2012
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Thermal stability of Pd/Pt/Au Ohmic contacts to InAlSb/InAs heterostructures for high electron mobility transistors
Journal of applied physics, 2009-02, Vol.105 (4), p.044505-044505-8
2009
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An enhancement-mode GaAs heterojunction transistor using benzocyclobutene as gate dielectric
Journal of applied physics, 2006-07, Vol.100 (1)
2006
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An enhancement-mode GaAs heterojunction transistorusing benzocyclobutene as gate dielectric
Journal of applied physics, 2006-07, Vol.100 (1), p.014508-014508-4
2006
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Tight-binding calculations of energy gaps in (001)-(InAs)n(InSb)m strained superlattices
Journal of applied physics, 2000-05, Vol.87 (9), p.4319-4323
2000
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Electrical characteristics and thermal stability of n+ polycrystalline- Si/ZrO2/SiO2/Si metal–oxide–semiconductor capacitors
Journal of applied physics, 2002-01, Vol.91 (1), p.414-419
2002
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High-energy and high-fluence proton irradiation effects in silicon solar cells
Journal of applied physics, 1996-11, Vol.80 (9), p.4916-4920
1996
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Effects of titanium and tantalum adhesion layers on the properties of sol-gel derived SrBi2Ta2O9 thin films
Journal of applied physics, 2002-08, Vol.92 (3), p.1511-1517
2002
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Epitaxial C49–TiSi2 phase formation on the silicon (100)
Journal of applied physics, 2003-09, Vol.94 (6), p.4198-4202
2003
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Boron penetration and thermal instability of p+ polycrystalline-Si/ZrO2/SiO2/n-Si metal-oxide-semiconductor structures
Journal of applied physics, 2002-01, Vol.91 (1), p.65-68
2002
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Nanoscale analysis on interfacial reactions in Al–Si–Cu alloys and Ti underlayer films
Journal of applied physics, 2003-01, Vol.93 (2), p.855-858
2003
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