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The effect of strain on tunnel barrier height in silicon quantum devices
Journal of applied physics, 2020-07, Vol.128 (2)
2020
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Alternatives to aluminum gates for silicon quantum devices: Defects and strain
Journal of applied physics, 2021-09, Vol.130 (11)
2021
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Alternatives to aluminum gates for silicon quantum devices: defects and strain
Journal of applied physics, 2021-01, Vol.130 (11)
2021
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Magnetic ground state at the ytterbium site in YbNiAl4
Journal of applied physics, 2009-04, Vol.105 (7)
2009
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Magnetic order of the rare earth sublattice in h-YbMnO3
Journal of applied physics, 2009-04, Vol.105 (7)
2009
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Magnetic ground state at the ytterbium site in YbNiAl 4
Journal of applied physics, 2009-03, Vol.105 (7), p.07E123-07E123-3
2009
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Magnetic order of the rare earth sublattice in h -YbMnO 3
Journal of applied physics, 2009-02, Vol.105 (7), p.07E110-07E110-3
2009
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