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High-temperature neutron powder diffraction studies on atomic structure of (1−x)PbTiO3-xBi(Zn0.5Ti0.5)O3
Journal of applied physics, 2019-07, Vol.126 (1)
2019
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Local structural disorder in Zn0.9Co0.1O nanocrystals studied using neutron total scattering analysis
Journal of applied physics, 2012-10, Vol.112 (7)
2012
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Electronic structure of pentacene/ultrathin gate dielectric interfaces for low-voltage organic thin film transistors
Journal of applied physics, 2007-09, Vol.102 (6)
2007
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Nanogap capacitors: Sensitivity to sample permittivity changes
Journal of applied physics, 2006-01, Vol.99 (2), p.024305-024305-5
2006
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Growth stage of crystalline Y2O3 film on Si(100) grown by an ionized cluster beam deposition
Journal of applied physics, 1999-03, Vol.85 (5), p.2909-2914
1999
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Open Access
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Local structure of In0.5Ga0.5As from joint high-resolution and differential pair distribution function analysis
Journal of applied physics, 2000-07, Vol.88 (2), p.665-672
2000
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High-temperature neutron powder diffraction studies on atomic structure of ( 1 − x )PbTiO 3- xBi(Zn 0.5Ti 0.5)O 3
Journal of applied physics, 2019-07, Vol.126 (1)
2019
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Structural characteristics of Y2O3 films grown on oxidized Si(111) surface
Journal of applied physics, 2001-02, Vol.89 (3), p.1647-1652
2001
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Effect of ZrO2 incorporation into high dielectric Gd2O3 film grown on Si(111)
Journal of applied physics, 2005-07, Vol.98 (2)
2005
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Modification of magnetic properties of epitaxial Co/Cu multilayers by 1 MeV C+ irradiation
Journal of applied physics, 2001-08, Vol.90 (4), p.2036-2038
2001
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Spin-reorientation transition of epitaxial Cu/Ni/Cu (001) structure
Journal of applied physics, 2003-05, Vol.93 (10), p.7625-7627
2003
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Defect states in epitaxial HfO2 films induced by atomic transport from n -GaAs (100) substrate
Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (11)
2011
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Layer-resolved spin polarization in Sb overlayers on NiMnSb
Journal of applied physics, 2001-06, Vol.89 (11), p.7275-7277
2001
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Local structural disorder in Zn{sub 0.9}Co{sub 0.1}O nanocrystals studied using neutron total scattering analysis
Journal of applied physics, 2012-10, Vol.112 (7)
2012
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Temperature dependence of the properties of heteroepitaxial Y2O3 films grown on Si by ion assisted evaporation
Journal of applied physics, 1999-07, Vol.86 (1), p.198-204
1999
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Defect states in epitaxial HfO 2 films induced by atomic transport from n -GaAs (100) substrate
Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (11), p.114112-114112-6
2011
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Grain boundary diffusion effects on the sputter depth profiles of Co–Ag bilayers
Journal of applied physics, 1996-04, Vol.79 (7), p.3534-3540
1996
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Electronic structure of pentacene/ultrathin gate dielectric interfacesfor low-voltage organic thin film transistors
Journal of applied physics, 2007-09, Vol.102 (6), p.064502-064502-5
2007
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Atomic transport in thermal spike induced ion mixing
Journal of applied physics, 1993-05, Vol.73 (9), p.4292-4296
1993
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Effect of Zr O 2 incorporation into high dielectric Gd 2 O 3 film grownon Si(111)
Journal of applied physics, 2005-07, Vol.98 (2), p.024906-024906-7
2005
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YSi 2−x formation in the presence of interfacial SiO2 layer
Journal of applied physics, 2002-11, Vol.92 (9), p.5555-5559
2002
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Annealing effect on the magnetoresistance in La0.75Ca0.25MnO3 thin films grown on Si (100) substrates
Journal of applied physics, 2002-01, Vol.91 (1), p.221-224
2002
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Local structure of In{sub 0.5}Ga{sub 0.5}As from joint high-resolution and differential pair distribution function analysis
Journal of applied physics, 2000-07, Vol.88 (2)
2000
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Resistive switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition
Journal of applied physics, 2005-08, Vol.98 (3)
2005
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GaAs pillar array-based light emitting diodes fabricated by metal-assisted chemical etching
Journal of applied physics, 2013-08, Vol.114 (6)
2013
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