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Reliability characterization of stress-induced charge trapping in HfO 2 by electrostatic discharge impulse stresses
Journal of applied physics, 2009-05, Vol.105 (10), p.103910-103910-5
2009
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Electron conduction mechanism and band diagram of sputter-deposited Al∕ZrO2∕Si structure
Journal of applied physics, 2005-02, Vol.97 (3)
2005
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Analysis of breakdown characteristics in high-k dielectrics under electrostatic discharge impulse stress
Journal of applied physics, 2010-02, Vol.107 (3), p.034503-034503-3
2010
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Evolution of microstructures in hydrogenated silicon films prepared by diluted-hydrogen and hydrogen-atom-treatment methods
Journal of applied physics, 1993-05, Vol.73 (10), p.4841-4847
1993
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Reliability characterization of stress-induced charge trapping in HfO2 by electrostatic discharge impulse stresses
Journal of applied physics, 2009-05, Vol.105 (10)
2009
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Electron conduction mechanism and band diagram of sputter-deposited Al ∕ Zr O 2 ∕ Si structure
Journal of applied physics, 2005-01, Vol.97 (3), p.034506-034506-4
2005
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