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Characterization of heavily B-doped polycrystalline diamond films using Raman spectroscopy and electron spin resonance
Journal of applied physics, 1995-12, Vol.78 (12), p.7059-7062
1995
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Electrical conduction and deep levels in polycrystalline diamond films
Journal of applied physics, 1995-12, Vol.78 (11), p.6633-6638
1995
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Conversion of p-type to n-type diamond by exposure to a deuterium plasma
Journal of applied physics, 2004-12, Vol.96 (12), p.7060-7065
2004
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How to grow cubic GaN with low hexagonal phase content on (001) SiC by molecular beam epitaxy
Journal of applied physics, 1998-08, Vol.84 (4), p.2295-2300
1998
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Variation of the cell parameter of polycrystalline boron doped diamond films
Journal of applied physics, 1997-02, Vol.81 (3), p.1120-1125
1997
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Microstructure evolution of boron doped homoepitaxial diamond films
Journal of applied physics, 1998-01, Vol.83 (1), p.181-186
1998
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Chemical vapor deposition of B-doped polycrystalline diamond films: Growth rate and incorporation efficiency of dopants
Journal of applied physics, 1995-12, Vol.78 (12), p.7404-7406
1995
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Metal/insulator/semiconductor tunnel diodes formed by the oxidation of polycrystalline diamond films
Journal of applied physics, 1994-09, Vol.76 (6), p.3929-3931
1994
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