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Study of recrystallization and activation processes in thin and highly doped silicon-on-insulator layers by nanosecond laser thermal annealing
Journal of applied physics, 2022-02, Vol.131 (6)
2022
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Influence of average size and interface passivation on the spectral emission of Si nanocrystals embedded in SiO2
Journal of applied physics, 2002-01, Vol.91 (2), p.798-807
2002
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Stress measurements of germanium nanocrystals embedded in silicon oxide
Journal of applied physics, 2003-11, Vol.94 (9), p.5639-5642
2003
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Manipulation of two-dimensional arrays of Si nanocrystals embedded in thin SiO2 layers by low energy ion implantation
Journal of applied physics, 2004-05, Vol.95 (10), p.5696-5702
2004
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Ostwald ripening of end-of-range defects in silicon
Journal of applied physics, 1998-03, Vol.83 (6), p.3008-3017
1998
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Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin SiO2 layers
Journal of applied physics, 2006-02, Vol.99 (4)
2006
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Detection and characterization of silicon nanocrystals embedded in thin oxide layers
Journal of applied physics, 2004-01, Vol.95 (1), p.257-262
2004
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White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted SiO2 films
Journal of applied physics, 2003-07, Vol.94 (1), p.254-262
2003
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Resonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate
Journal of applied physics, 2004-08, Vol.96 (4), p.2403-2405
2004
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Kelvin force microscopy characterization of charging effect in thin a-SiOxNy:H layers deposited in pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process by tuning the Silicon-environment
Journal of applied physics, 2013-05, Vol.113 (20)
2013
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Transient enhanced diffusion of boron in presence of end-of-range defects
Journal of applied physics, 1997-09, Vol.82 (6), p.2855-2861
1997
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Manipulation of two-dimensional arrays of Si nanocrystals embedded in thin SiO 2 layers by low energy ion implantation
Journal of applied physics, 2004-05, Vol.95 (10), p.5696-5702
2004
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Influence of the initial supersaturation of solute atoms on the size of nanoparticles grown by an Ostwald ripening mechanism
Journal of applied physics, 2007-07, Vol.102 (2), p.023520-023520-6
2007
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Phosphorus-enhanced diffusion of antimony due to generation of self-interstitials
Journal of applied physics, 1995-08, Vol.78 (3), p.1623-1629
1995
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Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin Si O 2 layers
Journal of applied physics, 2006-02, Vol.99 (4), p.044302-044302-9
2006
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