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Intense gigawatt relativistic electron beam generation in the presence of prepulse. Part II
Journal of applied physics, 2007-09, Vol.102 (6)
2007
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Intense gigawatt relativistic electron beam generation in the presence of prepulse
Journal of applied physics, 2007-02, Vol.101 (3)
2007
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On the photoemission from quantum-confined Kane-type semiconductors
Journal of applied physics, 1991-02, Vol.69 (3), p.1666-1677
1991
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The diffusivity-mobility ratio in nonparabolic materials
Journal of applied physics, 1992-02, Vol.71 (3), p.1277-1283
1992
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The thermoelectric power in 3D quantum-well structures of Kane-type semiconductors under large magnetic field
Journal of applied physics, 1989-10, Vol.66 (7), p.3056-3059
1989
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The Einstein relation in Kane-type semiconductors
Journal of applied physics, 1988-05, Vol.63 (9), p.4536-4539
1988
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On a simplified analysis of the photoemission from quaternary alloys
Journal of applied physics, 1990-09, Vol.68 (6), p.3032-3034
1990
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On the gate capacitance in n-channel inversion layers on ternary semiconductors under magnetic quantization
Journal of applied physics, 1987-08, Vol.62 (3), p.922-924
1987
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Effect of surface electric field on the gate capacitance of metal-oxide-semiconductor structures of ternary semiconductors
Journal of applied physics, 1988-07, Vol.64 (2), p.918-921
1988
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ThemaScience & Technology
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