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Threshold Voltage Modulation Technique using Fluorine Treatment through Atomic Layer Deposition TiN Suitable for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2345
2008
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Tinv Scaling and Gate Leakage Reduction for n-Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with HfSi x /HfO 2 Gate Stack by Interfacial Layer Formation Using Ozone–Water-Last Treatment
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2379
2008
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Thermally Stimulated Exoelectron Emission of Plasma-Sprayed Zirconia Coatings
Japanese Journal of Applied Physics, 1985-01, Vol.24 (S4), p.162
1985
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TSEE from Aluminas and Spinels Subjected to Ar + -Ion Irradiation
Japanese Journal of Applied Physics, 1985-01, Vol.24 (S4), p.212
1985
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