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Design and Wafer-Level Fabrication of Stacked-Type Transformers for High-Density Power Converters
IEEE transactions on power electronics, 2024-04, Vol.39 (4), p.4503-4512
2024
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1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With Nanosecond Reverse Recovery and Rugged Surge-Current Capability
IEEE transactions on power electronics, 2021-11, Vol.36 (11), p.12213-12217
2021
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1.95-kV Beveled-Mesa NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 98.5% Conversion Efficiency and Over Million-Times Overvoltage Ruggedness
IEEE transactions on power electronics, 2022-02, Vol.37 (2), p.1223-1227
2022
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Wafer-level Fabricated Tight-coupling Dual-solenoid Transformer Chips with Watt-scale Power Transfer
IEEE transactions on power electronics, 2023-04, Vol.38 (4), p.1-9
2023
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1.95-kV Beveled-Mesa NiO/β-Ga 2 O 3 Heterojunction Diode With 98.5% Conversion Efficiency and Over Million-Times Overvoltage Ruggedness
IEEE transactions on power electronics, 2022-02, Vol.37 (2), p.1223-1227
2022
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1.37 kV/12 A NiO/β-Ga 2 O 3 Heterojunction Diode With Nanosecond Reverse Recovery and Rugged Surge-Current Capability
IEEE transactions on power electronics, 2021-11, Vol.36 (11), p.12213-12217
2021
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