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Temperature-Switching During Irradiation as a Test for ELDRS in Linear Bipolar Devices
IEEE transactions on nuclear science, 2019-01, Vol.66 (1), p.199-206
2019
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Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
IEEE transactions on nuclear science, 2017-07, Vol.64 (7), p.1897-1904
2017
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Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology
IEEE transactions on nuclear science, 2021-10, Vol.68 (10), p.2516-2523
2021
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Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
IEEE transactions on nuclear science, 2021-07, Vol.68 (7), p.1423-1429
2021
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Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
IEEE transactions on nuclear science, 2019-04, Vol.66 (4), p.702-709
2019
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The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
IEEE transactions on nuclear science, 2018-08, Vol.65 (8), p.1920-1927
2018
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Using a Temperature-Switching Approach to Evaluate Low-Dose-Rate Ionizing Radiation Effects on SET in Linear Bipolar Circuits
IEEE transactions on nuclear science, 2019-07, Vol.66 (7), p.1557-1565
2019
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Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
IEEE transactions on nuclear science, 2018-02, Vol.65 (2), p.691-697
2018
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Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
IEEE transactions on nuclear science, 2019-06, Vol.66 (6), p.892-898
2019
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