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Proposal of Single Metal/Dual High- k Devices for Aggressively Scaled CMISFETs With Precise Gate Profile Control
IEEE transactions on electron devices, 2009-01, Vol.56 (1), p.85-92
2009
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Compact modeling of a flash memory cell including substrate-bias-dependent hot-electron gate current
IEEE transactions on electron devices, 2004-10, Vol.51 (10), p.1726-1733
2004
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Proposal of Single Metal/Dual High-[Formula Omitted] Devices for Aggressively Scaled CMISFETs With Precise Gate Profile Control
IEEE transactions on electron devices, 2009-01, Vol.56 (1), p.85-92
2009
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Ultralow-Thermal-Budget CMOS Process Using Flash-Lamp Annealing for 45 nm Metal/High- k FETs
IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1042-1049
2008
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Ultralow-Thermal-Budget CMOS Process Using Flash-Lamp Annealing for 45 nm Metal/High- [Formula Omitted] FETs
IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1042-1049
2008
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Effects of minute impurities (H, OH, F) on SiO/sub 2//Si interface as investigated by nuclear resonant reaction and electron spin resonance
IEEE transactions on electron devices, 1990-07, Vol.37 (7), p.1635-1642
1990
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Hot-electron damage-resistant Si-gate submicrometer MOSFETs with a fluorinated oxide
IEEE transactions on electron devices, 1989-11, Vol.36 (11), p.2604
1989
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VIB-6 Hall effect analysis of charge transport in silicon dioxide-silicon nitride double layers
IEEE transactions on electron devices, 1987-11, Vol.34 (11), p.2386-2386
1987
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Effects of minute impurities (H, OH, F) on SiO2/Si interface as investigated by nuclear resonant reaction and electron spin resonance
IEEE transactions on electron devices, 1990-07, Vol.37 (7), p.1635-1642
1990
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Oxidized Ta2O5/Si3N4 dielectric films on poly-crystalline Si for dRAM's
IEEE transactions on electron devices, 1989, Vol.36 (2), p.328-332
1989
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Oxidized Ta/sub 2/O/sub 5//Si/sub 3/N/sub 4/ dielectric films on poly-crystalline Si for dRAMs
IEEE transactions on electron devices, 1989-02, Vol.36 (2), p.328-332
1989
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Oxidized Ta sub(2)O sub(5)/Si sub(3)N sub(4) dielectric films on poly-crystalline Si for dRAM's
IEEE transactions on electron devices, 1989-01, Vol.36 (2), p.328-332
1989
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Effects of minute impurities (H, OH, F) on SiO(2)/Siinterface as investigated by nuclear resonant reaction and electron spinresonance
IEEE transactions on electron devices, 1990-07, Vol.37 (7), p.1635-1642
1990
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