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1.7-kV Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diodes With Helium-Implanted Edge Termination
IEEE transactions on electron devices, 2022-04, Vol.69 (4), p.1938-1944
2022
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A 32-Stage 15-b Digital Time-Delay Integration Linear CMOS Image Sensor With Data Prediction Switching Technique
IEEE transactions on electron devices, 2017-03, Vol.64 (3), p.1167-1173
2017
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A High-Linearity Single-Pole-Double-Throw Pseudomorphic HEMT Switch Based on Tunable Field-Plate Voltage Technology
IEEE transactions on electron devices, 2009-04, Vol.56 (4), p.541-545
2009
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Device Characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using High-[Formula Omitted] Praseodymium Oxide Layer
IEEE transactions on electron devices, 2008-11, Vol.55 (11), p.3305
2008
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Device Characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using High- k Praseodymium Oxide Layer
IEEE transactions on electron devices, 2008-11, Vol.55 (11), p.3305-3309
2008
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0.2-μm gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for c-band MMIC amplifier applications
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1599-1603
2003
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Submicron RIE recessed InGaP/InGaAs doped-channel FETs
IEEE transactions on electron devices, 2003-06, Vol.50 (6), p.1555-1558, Article 1555
2003
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0.2-/spl mu/m gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1599-1603
2003
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(Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P/In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As (x=0, 0. 3, 1. 0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications
IEEE transactions on electron devices, 2001-12, Vol.48 (12), p.2906-2910
2001
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0.2-[mu]m gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1599
2003
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0.2-mum gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1599-1603
2003
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(Al)x)Ga)1-x)))0.5)In)0.5)P/In)0.15)Ga)0.85)As (x=0, 0. 3, 1. 0) heterostructuredoped-channel FETs for microwave power applications
IEEE transactions on electron devices, 2001-12, Vol.48 (12), p.2906-2910
2001
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Al sub(x)Ga sub(1-x)) sub(0.5)In sub(0.5)P /In sub(0.15)Ga sub(0.85)As (x = 0, 0.3, 1.0) Heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications
IEEE transactions on electron devices, 2001-12, Vol.48 (12), p.2906-2910
2001
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(AlxGa1-x)0.5In0.5P/In 0.15Ga0.85As (x=0, 0. 3, 1. 0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications
IEEE transactions on electron devices, 2001-12, Vol.48 (12), p.2906
2001
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(Al sub(x)Ga sub(1-x)) sub(0.5 )In sub(0.5)P/In sub(0.15)Ga sub(0.85)As (x=0, 0. 3, 1. 0) heterostructure doped-channel FETs for microwave power applications
IEEE transactions on electron devices, 2001-01, Vol.48 (12)
2001
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