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Sub-10-nm Air Channel Field Emission Device With Ultra-Low Operating Voltage
IEEE electron device letters, 2021-09, Vol.42 (9), p.1390-1393
2021
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Improved Endurance of Hf₀.₅Zr₀.₅O2-Based Ferroelectric Capacitor Through Optimizing the Ti-N Ratio in TiN Electrode
IEEE electron device letters, 2022-04, Vol.43 (4), p.561-564
2022
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Enhanced Remnant Polarization (30 μC/cm2) and Retention of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 by NH3 Plasma Treatment
IEEE electron device letters, 2022-07, Vol.43 (7), p.1045-1048
2022
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A Surface Potential Based Compact Model for Ferroelectric a-InGaZnO-TFTs Toward Temperature Dependent Device Characterization
IEEE electron device letters, 2023-03, Vol.44 (3), p.412-415
2023
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Observation and Characterization of Recoverable Fatigue Process Under Low-Electric Field (<1.8MV/cm) in HfZrO Ferroelectric Film
IEEE electron device letters, 2021-09, Vol.42 (9), p.1288-1290
2021
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A Surface Potential Based Compact Model for Ferroelectric a-InGaZnO-TFTs Towards Temperature Dependent Device Characterization
IEEE electron device letters, 2023-01, p.1-1
2023
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Enhanced Remnant Polarization (30 μ C/cm 2 ) and Retention of Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 by NH 3 Plasma Treatment
IEEE electron device letters, 2022-07, Vol.43 (7), p.1045-1048
2022
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Flexible Hf x Zr 1-x O 2 Thin Films on Polyimide for Energy Storage With High Flexibility
IEEE electron device letters, 2022-06, Vol.43 (6), p.930-933
2022
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Flexible HfxZr1-xO2 Thin Films on Polyimide for Energy Storage With High Flexibility
IEEE electron device letters, 2022-06, Vol.43 (6), p.930-933
2022
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Improved Endurance of Hf₀.₅Zr₀.₅O 2 -Based Ferroelectric Capacitor Through Optimizing the Ti–N Ratio in TiN Electrode
IEEE electron device letters, 2022-04, Vol.43 (4), p.561-564
2022
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Observation and Characterization of Recoverable Fatigue Process Under Low-Electric Field
IEEE electron device letters, 2021-01, Vol.42 (9), p.1288
2021
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